特許
J-GLOBAL ID：201703000156577659

半導体装置の製造方法

発明者：
杉村 温

杉村 温 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-042450
公開番号（公開出願番号）：特開2017-157795
出願日： 2016年03月04日
公開日（公表日）： 2017年09月07日
要約：
【課題】汚染物質がウェハに照射されることを抑制しつつ、メタルマスクのアライメントを的確に取れるようにする。【解決手段】メタルマスク33とウェハ40との間にアブソーバ34を配置した状態でHe線照射を行う。これにより、メタルマスク33に開口部33aを形成したときに付着している汚染物質がアブソーバ34によって遮られ、ウェハ40側に照射されることを防ぐことができる。また、アブソーバ34を配置する前にウェハ40に対するメタルマスク33のアライメントを取るようにし、制御部にてメタルマスク33の調整位置に関する情報である(x、y、θ)を記憶させる。これにより、アブソーバ34をメタルマスク33とウェハ40との間に配置したときに、制御部に記憶してあるメタルマスク33の調整位置に関する情報に基づいて、メタルマスク33の位置調整を行うだけで、的確にアライメントを取ることができる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
半導体装置の製造方法であって、 半導体装置が形成される半導体基板(10)を構成するウェハ(40)を用意することと、 イオン照射装置(30)を用いて前記ウェハに対してイオン照射を行って、前記半導体基板の所定深さの位置にダメージ領域(24)の形成することと、を含み、 前記ダメージ領域を形成することでは、 前記ウェハをウェハホルダー(32)に保持すると共に、開口部(33a)が設けられたメタルマスク(33)を前記ウェハと対向配置することと、 制御部(36)にて前記メタルマスクの位置調整を行うことで前記ウェハに対して前記メタルマスクのアライメントを取り、かつ、前記アライメントを取ったときの前記メタルマスクの調整位置に関する情報を前記制御部に記憶することと、 前記メタルマスクと前記ウェハとの間に、前記イオン照射の深さの調整を行うアブソーバ(34)を配置すると共に、前記制御部にて、記憶している前記調整位置に前記メタルマスクの位置合わせを行うことと、 前記位置合わせの後に、前記メタルマスクと前記ウェハとの間に前記アブソーバを挟み込んだ状態で前記メタルマスクおよび前記アブソーバを通じて前記イオン照射を行うことと、を行う半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/322 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/739 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/266
FI (7件)：
H01L21/322 L ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 655A ,  H01L29/78 652H ,  H01L29/78 658H ,  H01L21/265 M ,  H01L29/78 657D
引用特許：
審査官引用 (4件)
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