特許
J-GLOBAL ID:201703000251694476
コンデンサ、およびチャージポンプ回路
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人深見特許事務所
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-259431
公開番号(公開出願番号):特開2014-107415
特許番号:特許第6161267号
出願日: 2012年11月28日
公開日(公表日): 2014年06月09日
請求項(抜粋):
【請求項1】 半導体基板の上方の第1のポリシリコン層を用いて形成された第1の電極と、
前記第1のポリシリコン層の上方の第2のポリシリコン層を用いて形成された第2の電極と、
前記第2のポリシリコン層の上方の金属配線層を用いて形成された第3および第4の電極とを備え、
前記半導体基板と前記第1の電極は、互いに対向して設けられて第1のコンデンサ素子を構成し、
前記第1および第2の電極は、互いに対向して設けられて第2のコンデンサ素子を構成し、
前記第3および第4の電極は、隣接して設けられて第3のコンデンサ素子を構成しており、
さらに、第1および第2の端子を備え、
前記第1および第2のコンデンサ素子は並列接続され、
前記第3のコンデンサ素子は前記第1および第2のコンデンサ素子とともに前記第1および第2の端子間に接続されており、
2組の前記第1および第2の電極が設けられ、
前記第3および第4の電極は、前記2組の前記第1および第2の電極の上方に設けられ、
前記2組のうちの第1の組の前記第1の電極は前記半導体基板のうちの第1のウェルに対向して設けられ、前記2組のうちの第2の組の前記第1の電極は前記半導体基板のうちの第2のウェルに対向して設けられ、
前記第1の端子は前記第1のウェルと前記第3の電極と前記第1の組の前記第2の電極とに接続され、
前記第1の組の前記第1の電極と第2のウェルと前記第2の組の第2の電極とは互いに接続され、
前記第2の端子は前記第4の電極と前記第2の組の前記第1の電極とに接続され、
前記第1および第2の組の前記第1のコンデンサ素子は前記第1および第2の端子間に直列接続され、
前記第1および第2の組の前記第2のコンデンサ素子は前記第1および第2の端子間に直列接続され、
前記第3のコンデンサ素子は前記第1および第2の端子間に接続されている、コンデンサ。
IPC (8件):
H01L 21/822 ( 200 6.01)
, H01L 27/04 ( 200 6.01)
, H02M 3/07 ( 200 6.01)
, H01G 4/38 ( 200 6.01)
, H01G 4/30 ( 200 6.01)
, H01G 4/33 ( 200 6.01)
, H01G 4/12 ( 200 6.01)
, H01G 4/40 ( 200 6.01)
FI (8件):
H01L 27/04 C
, H02M 3/07
, H01L 27/04 G
, H01G 4/38 A
, H01G 4/30 301 C
, H01G 4/06 102
, H01G 4/12 394
, H01G 4/40 A
引用特許:
出願人引用 (10件)
-
半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-026782
出願人:株式会社東芝
-
半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2008-291618
出願人:株式会社ルネサステクノロジ
-
高電圧発生回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-067704
出願人:株式会社東芝
全件表示
審査官引用 (10件)
-
半導体集積昇圧回路装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-129111
出願人:富士ゼロックス株式会社
-
半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2007-071836
出願人:株式会社ルネサステクノロジ
-
高収率の高密度オンチップ・キャパシタ設計
公報種別:公表公報
出願番号:特願2009-510380
出願人:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
全件表示
前のページに戻る