特許
J-GLOBAL ID：201703000379101222
2つの構造体間の直接接合を実行する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
永井 浩之
, 中村 行孝
, 佐藤 泰和
, 朝倉 悟
, 関根 毅
, 吉田 昌司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-248332
公開番号（公開出願番号）：特開2017-118113
出願日： 2016年12月21日
公開日（公表日）： 2017年06月29日
要約：
【課題】2つの構造体間の直接接合を実行する方法を提供すること。【解決手段】本方法は、第1の構造体(10、11)と第2の構造体(20、21)とを提供するステップa)であって、第1の構造体(10、11)が、シリコン層が形成された表面を備える、ステップa)と、第1の構造体(10、11)の表面に達することと、打ち込みの完了時に1nm未満のRMSの表面粗さをもつシリコン層の一部(3a)を維持することとを行うように構成された化学種のビーム(F)によりシリコン層に打ち込むステップb)と、ステップb)において維持されたシリコン層の一部(3a)と第2の構造体(20、21)との間の直接接合により第1の構造体(10、11)と第2の構造体(2)とを接合するステップc)と、を含み、ステップb)とステップc)とが、10-2mbar未満の真空にされた同じチャンバ内で実行される。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
第1の構造体(1)と第2の構造体(2)とを接合する方法であって、
a)前記第1の構造体(1)と前記第2の構造体(2)とを提供するステップであって、前記第1の構造体(1)が、シリコン層(3)が形成された表面(100)を備える、提供するステップと、
b)前記第1の構造体(1)の前記表面(100)に達することと、打ち込みの完了時に1nm未満のRMSの表面粗さをもつ前記シリコン層(3)の一部(3a)を維持することとを行うように構成された化学種のビーム(F)により、前記シリコン層(3)に打ち込むステップと、
c)ステップb)において維持された前記シリコン層(3)の前記一部(3a)と前記第2の構造体(2)との間の直接接合により前記第1の構造体(1)と前記第2の構造体(2)とを接合するステップと、
を含み、
ステップb)とステップc)とが、10-4mbar未満の真空にされた同じチャンバ内で実行される、方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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