特許
J-GLOBAL ID:201703000619923209

分析装置及び分析システム

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 棚井 澄雄 ,  飯田 雅人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2015-117985
公開番号(公開出願番号):特開2017-003442
出願日: 2015年06月11日
公開日(公表日): 2017年01月05日
要約:
【課題】試料の表面近傍の状態を非破壊かつ高感度に分析することができる分析装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の分析装置は、被測定物を設置できる設置部11を有するチャンバー10と、加速器で発生したイオンビームを前記設置部11に向けて導く導管20と、前記設置部11に設置された前記被測定物Sに前記イオンビームを照射することにより反跳した反跳粒子に磁場を印加し、前記反跳粒子のエネルギーに対応する方向に前記反跳粒子の進行方向を変化させる分析部30と、前記反跳粒子の軌跡と平行な平面に対して垂直な方向に延在し、前記反跳粒子をその進行方向毎に検出可能な検出部を有する位置敏感半導体検出器40と、前記位置敏感半導体検出器40に接続され、前記位置敏感半導体検出器40で生じた電荷をデジタル化して計測する計測器50と、を備える。【選択図】図1
請求項(抜粋):
被測定物を設置できる設置部を有するチャンバーと、 加速器で発生したイオンビームを前記設置部に向けて導く導管と、 前記設置部に設置された前記被測定物に前記イオンビームを照射することにより反跳した反跳粒子に磁場又は電場を印加し、前記反跳粒子のエネルギーに対応する方向に前記反跳粒子の進行方向を変化させる分析部と、 前記反跳粒子の軌跡と平行な平面に対して垂直な方向に延在し、前記反跳粒子をその進行方向毎に検出可能な検出部を有する位置敏感半導体検出器と、 前記位置敏感半導体検出器に接続され、前記位置敏感半導体検出器で生じた電荷をデジタル化して計測する計測器と、を備える分析装置。
IPC (3件):
G01N 23/225 ,  G01T 1/24 ,  G01N 23/203
FI (3件):
G01N23/225 320 ,  G01T1/24 ,  G01N23/203
Fターム (26件):
2G001AA05 ,  2G001BA14 ,  2G001CA04 ,  2G001DA01 ,  2G001DA02 ,  2G001DA08 ,  2G001EA03 ,  2G001EA04 ,  2G001GA01 ,  2G001KA01 ,  2G001KA07 ,  2G001LA02 ,  2G001LA11 ,  2G001NA01 ,  2G188BB15 ,  2G188CC32 ,  2G188CC35 ,  2G188DD05 ,  2G188DD44 ,  2G188EE01 ,  2G188EE03 ,  2G188EE07 ,  2G188EE12 ,  2G188EE25 ,  2G188FF04 ,  2G188FF11
引用特許:
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示
引用文献:
前のページに戻る