Ru含有酸素拡散バリア

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：山田卓二 , 田中光雄 , 竹内三喜夫 , 中野晴夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-228244
公開番号（公開出願番号）：特開2013-089964
特許番号：特許第6215523号
出願日： 2012年10月15日
公開日（公表日）： 2013年05月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 MIMキャパシタ構造を形成する方法であって、 TiNまたはWからなる導電性の下部電極プラグを露出させるリセスを備えたベース構造を得る工程と、ベース構造材料に比較した下部電極プラグ上へのRu成長の培養時間の違いに基づいて、下部電極プラグ上にRuを選択成長させる工程と、選択成長したRuを部分的に酸化して、Ruの上に酸化したRuの酸化バリアを形成する工程と、酸化したRuの酸化バリアの上にRu含有下部電極を堆積する工程と、 Ru含有下部電極の上に誘電体層を形成する工程と、誘電体層の上に導電性の上部電極を形成する工程と、を含む方法。

IPC (2件)：