特許

J-GLOBAL ID：201703001018724060

セラミックス/アルミニウム接合体、絶縁回路基板、パワーモジュール、LEDモジュール、熱電モジュール

発明者： 寺▲崎▼ 伸幸 ,  長友 義幸
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (5件)： 志賀 正武 ,  寺本 光生 ,  松沼 泰史 ,  細川 文広 ,  大浪 一徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-178530
公開番号（公開出願番号）：特開2017-108107
出願日： 2016年09月13日
公開日（公表日）： 2017年06月15日
要約：

【課題】窒化ケイ素からなるセラミックス部材に対してアルミニウム部材を高い接合信頼性を保って接合させたセラミックス/アルミニウム接合体、パワーモジュール用基板、パワーモジュールを提供する。【解決手段】セラミックス部材と、アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム部材とが接合されてなるセラミックス/アルミニウム接合体であって、前記セラミックス部材は、マグネシウムを含む窒化ケイ素で構成されており、前記セラミックス部材と前記アルミニウム部材との接合界面には、アルミニウム、ケイ素、酸素、および窒素の化合物にマグネシウムが含まれた接合層が形成されていることを特徴とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

セラミックス部材と、アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム部材とが接合されてなるセラミックス/アルミニウム接合体であって、 前記セラミックス部材は、マグネシウムを含む窒化ケイ素で構成されており、 前記セラミックス部材と前記アルミニウム部材との接合界面には、アルミニウム、ケイ素、酸素、および窒素の化合物にマグネシウムが含まれた接合層が形成されていることを特徴とするセラミックス/アルミニウム接合体。

IPC (4件)：

H01L 23/13 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/36

FI (3件)：

H01L23/12 C ,  H01L25/04 C ,  H01L23/36 C

Fターム (8件)：

5F136BB04 ,  5F136CB06 ,  5F136DA27 ,  5F136DA33 ,  5F136EA13 ,  5F136FA02 ,  5F136FA75 ,  5F136FA83

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭61-275174
  
• 窒化珪素回路基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-044782   出願人：日立金属株式会社
• パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びパワーモジュール用基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-129669   出願人：三菱マテリアル株式会社
• 窒化ケイ素質粉末、窒化ケイ素質粉末の製造方法、窒化ケイ素質焼結体、窒化ケイ素質焼結体の製造方法および回路基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-284957   出願人：日立金属株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 窒化ケイ素焼結体の接合に関する基礎的研究(第1報)