表示装置

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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-108075
公開番号（公開出願番号）：特開2012-252329
特許番号：特許第6137782号
出願日： 2012年05月10日
公開日（公表日）： 2012年12月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】画素を有し、前記画素は、第1乃至第6のトランジスタと、表示素子と、容量素子と、を有し、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、前記第1のトランジスタのゲートは、前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、前記第1のトランジスタのゲートは、前記容量素子の第1の電極と電気的に接続され、前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第6のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記表示素子と電気的に接続され、前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記容量素子の第2の電極と電気的に接続され、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第1の配線と電気的に接続され、前記第4のトランジスタのソース又はドレインの他方は、データ線と電気的に接続され、前記第6のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第2の配線と電気的に接続され、前記第1乃至第6のトランジスタは、Nチャネル型であり、前記第1の配線の電位は、前記第2の配線の電位よりも高い表示装置であって、前記第6のトランジスタのソース又はドレインの一方として機能する領域を有する第1の導電膜は、前記容量素子の第2の電極として機能する領域を有し、前記第1の導電膜は、第2の導電膜を介して前記表示素子と電気的に接続され、前記第1の導電膜上に第1の絶縁膜が位置し、前記第1の絶縁膜上に前記第2の導電膜が位置し、前記第2の導電膜上に第2の絶縁膜が位置し、前記第2の絶縁膜上に前記表示素子が位置し、前記第6のトランジスタのゲートは、ゲート線と電気的に接続され、前記第3のトランジスタのゲートは、前記ゲート線と電気的に接続され、前記第4のトランジスタのゲートは、前記ゲート線と電気的に接続され、前記ゲート線として機能する領域を有する第3の導電膜は、前記第1の絶縁膜上に位置し、前記第1の配線として機能する領域を有する第4の導電膜は、前記第1の絶縁膜上に位置し、前記第6のトランジスタのゲートとして機能する領域と、前記第3のトランジスタのゲートとして機能する領域と、前記第4のトランジスタのゲートとして機能する領域と、を有する第5の導電膜上に第3の絶縁膜が位置し、前記第3の絶縁膜上に前記第1の導電膜が位置することを特徴とする表示装置。

IPC (4件)：

G09G 3/3233 ( 201 6.01) , G09G 3/30 ( 200 6.01) , G09G 3/20 ( 200 6.01) , H01L 51/50 ( 200 6.01)

FI (12件)：

G09G 3/323 , G09G 3/30 J , G09G 3/20 621 M , G09G 3/20 611 H , G09G 3/20 670 J , G09G 3/20 680 V , G09G 3/20 680 S , G09G 3/20 680 T , G09G 3/20 624 B , G09G 3/20 642 B , G09G 3/20 641 B , H05B 33/14 A

引用特許：

審査官引用 (7件)

表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-188584 出願人：株式会社日立ディスプレイズ, キヤノン株式会社
半導体装置およびその駆動方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-298062 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置の駆動方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-036196 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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