半導体発光素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：川野宏 , 大西正悟 , 並木敏章
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-154801
公開番号（公開出願番号）：特開2015-026691
特許番号：特許第6154693号
出願日： 2013年07月25日
公開日（公表日）： 2015年02月05日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板上に複数の層を積層してなる半導体発光素子であって、前記複数の層は、n型半導体層およびp型半導体層と、これら2つの半導体層の間に配された活性層と、この活性層よりも光取出側の界面の近傍に配された、表面プラズモン層と、を含み、前記活性層よりも前記基板側の所定の位置に設けられ、前記活性層から前記基板側に放出される光を、該光取出方向に反射する光反射層を含み、前記光反射層が円環状の透孔部を備えるとともに、当該透孔部よりも光取出側に位置する前記表面プラズモン層が円環状とされ、該透孔部と該表面プラズモン層とが、前記積層方向に互いに重なり合うように構成されている、ことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：