特許
J-GLOBAL ID：200903019268435849
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-052006
公開番号（公開出願番号）：特開2002-083999
出願日： 2001年02月27日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：
【要約】【課題】 DBRの上面と量子井戸活性層の下面との間の距離が多少ばらついても、所定のピーク波長が安定して得られる半導体発光素子を提供すること。【解決手段】 DBR3と量子井戸活性層5との間の第1クラッド層4の層厚を0.3μmにする。この層厚は、半導体発光素子の発光波長がλ、上記第1クラッド層4の屈折率がnであるとして、2λ/n(μm)以下、すなわちλが0.65μm、nが3.5であるから、0.4μm以下である。また、第1クラッド層4は、量子井戸活性層5からの発光光と、DBR3で反射された反射光との位相差が2πの整数倍になるように形成されている。この半導体発光素子の発光スペクトルは、発光光と反射光との干渉による谷と谷とが、メインピークの両側に、互いに略50〜60nmの波長を隔てて生じるので、この谷はメインピークに一致し難い。その結果、半導体発光素子のピーク波長が保持される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、順に多層反射膜と、半導体層と、量子井戸活性層を有する半導体発光素子において、発光波長がλ(μm)であり、上記多層反射膜と量子井戸活性層との間に位置する上記半導体層の平均屈折率がnであるとして、上記多層反射膜の上面と量子井戸活性層の下面との間の距離が2λ/n(μm)以下であり、かつ、上記多層反射膜で反射された反射光と、上記量子井戸活性層からの発光光との間の位相差が、2πの整数倍であることを特徴とする半導体発光素子。
Fターム (6件)：
5F041AA11
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA41
, 5F041CB15
, 5F041FF14
