特許

J-GLOBAL ID：201703001167118903

熱アニーリング方法

発明者： フィリップ・フスタッド ,  シンユ・コ ,  シー-ウェイ・チャン ,  ジェフリー・ウェインホールド ,  ピーター・トレフォナス
出願人/特許権者： ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシー ,  ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー
代理人 (1件)： 特許業務法人センダ国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-143230
公開番号（公開出願番号）：特開2014-037342
特許番号：特許第6166971号
出願日： 2013年07月09日
公開日（公表日）： 2014年02月27日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 表面を有する基体を提供し; ポリ(スチレン)-b-ポリ(シロキサン)ブロックコポリマー成分および酸化防止剤を含むコポリマー組成物を提供し、前記ポリ(スチレン)-b-ポリ(シロキサン)ブロックコポリマー成分の数平均分子量が5〜1,000kg/molであり、前記コポリマー組成物は酸化防止剤を(ブロックコポリマー成分の重量を基準にして)2重量%より多く含んでおり; 前記基体の前記表面に前記コポリマー組成物のフィルムを適用し; 前記フィルムを240〜350°Cで、20重量%以上のO2を含む気体雰囲気下で、1秒〜4時間の期間にわたって加熱することにより前記フィルムをアニールし;並びに、 前記アニールされたフィルムからポリ(スチレン)ブロックを除去し、かつ前記アニールされたフィルム中のポリ(シロキサン)ブロックをSiOxに変換するように前記アニールされたフィルムを処理する; ことを含む、基体を処理する方法。

IPC (3件)：

C01B 33/12 ( 200 6.01) ,  C08L 83/10 ( 200 6.01) ,  C08G 77/442 ( 200 6.01)

FI (3件)：

C01B 33/12 C ,  C08L 83/10 ,  C08G 77/442

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ガスバリア性フィルム、その製造方法及び有機電子デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-268125   出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社
• ガスバリア性フィルム積層体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-221736   出願人：大日本印刷株式会社
• イオン液体を有するブロック共重合体膜の自己組織化における長距離秩序を改善する方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2011-500847   出願人：マイクロンテクノロジー,インク.
• 熱処理方法及び熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-240365   出願人：東京エレクトロン株式会社, ジェイエスアール株式会社