特許

J-GLOBAL ID：201703001200858101

ナノワイヤの製造方法

発明者： 田中 康規 ,  兒玉 直人 ,  北 健太郎 ,  石坂 洋輔 ,  中村 圭太郎 ,  末安 志織
出願人/特許権者： 国立大学法人金沢大学 ,  株式会社日清製粉グループ本社
代理人 (2件)： 渡辺 望稔 ,  三和 晴子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-241913
公開番号（公開出願番号）：特開2017-105680
出願日： 2015年12月11日
公開日（公表日）： 2017年06月15日
要約：

【課題】ナノワイヤを大量にしかも高い生産性で製造することができるナノワイヤの製造方法を提供する。【解決手段】ナノワイヤの製造方法は、熱プラズマ炎に、ナノワイヤ製造用の原料を供給する工程と、原料を熱プラズマ炎で蒸発させ気相状態の混合物とし、混合物を冷却する工程を有する。原料の混合物は最大密度部の密度が0.5×10-2(kg/m3)より高く、混合物の冷却速度は105(K/s)以下である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ナノワイヤの製造方法であって、 熱プラズマ炎に、ナノワイヤ製造用の原料を供給する工程と、 前記原料を前記熱プラズマ炎で蒸発させ気相状態の混合物とし、前記混合物を冷却する工程を有し、 前記原料の前記混合物は最大密度部の密度が0.5×10-2(kg/m3)より高く、 前記混合物の冷却速度は105(K/s)以下であることを特徴とするナノワイヤの製造方法。

IPC (3件)：

C01B 33/02 ,  B82Y 30/00 ,  B82Y 40/00

FI (3件)：

C01B33/02 Z ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Fターム (15件)：

4G072AA01 ,  4G072BB04 ,  4G072BB05 ,  4G072BB20 ,  4G072DD06 ,  4G072GG03 ,  4G072GG05 ,  4G072HH01 ,  4G072LL01 ,  4G072LL03 ,  4G072MM40 ,  4G072RR25 ,  4G072UU01 ,  4G072UU02 ,  4G072UU30

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 微粒子の製造方法およびその製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-028869   出願人：国立大学法人金沢大学, 株式会社日清製粉グループ本社