光変調器

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：吉田正義 , 今枝弘充 , 梅村裕明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-027792
公開番号（公開出願番号）：特開2013-214044
特許番号：特許第6156910号
出願日： 2013年02月15日
公開日（公表日）： 2013年10月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】Siで形成されたP型半導体層と、前記P型半導体層上に設けられた一般式Si1-xGex(0<x<1)で表されるSiGe層と、前記SiGe層に接するように前記SiGe層上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたSiで形成されたN型半導体層と、前記N型半導体層上に設けられた入力電極と、前記SiGe層に設けられた接地電極とを備え、前記ゲート絶縁膜、前記N型半導体層、及び前記入力電極は、凸条の光導波路を構成し、前記接地電極は、前記凸条の光導波路を挟んで両側に設けられており、前記SiGe層には前記P型半導体層により圧縮応力が付与され、圧縮歪みが生じていることを特徴とする光変調器。

IPC (1件)：