素子チップおよびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：河崎眞一 , 津村祐子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-048004
公開番号（公開出願番号）：特開2017-163071
出願日： 2016年03月11日
公開日（公表日）： 2017年09月14日
要約：

【課題】劈開の起点を保護膜で被覆して、素子チップの抗折強度を向上させる。【解決手段】基板を準備する工程と、基板の分割領域にレーザ光を照射して第1ダメージ領域および第2ダメージ領域を形成するレーザスクライブ工程と、基板を第1プラズマに晒すことにより第1ダメージ領域を除去するとともに、第2ダメージ領域の一部を露出させる異方性エッチング工程と、素子領域と分割領域と露出した第2ダメージ領域の一部とに保護膜を堆積させる保護膜堆積工程と、基板を第2プラズマに晒すことにより、分割領域に堆積した保護膜の一部および素子領域に堆積した保護膜を除去するとともに、第2ダメージ領域の一部を覆う保護膜を残存させる、保護膜エッチング工程と、第2主面を支持部材で支持した状態で基板を第3プラズマに晒すことにより、基板を素子チップに分割するプラズマダイシング工程と、を備える素子チップの製造方法。【選択図】図2A

請求項（抜粋）：

第1主面および第2主面を備え、半導体層である第1層と、前記第1層の前記第1主面側に形成された絶縁膜を含む第2層と、を備える基板であって、複数の素子領域と、前記素子領域を画定する分割領域を備える基板を準備する工程と、前記分割領域に前記第1主面側からレーザ光を照射して、前記分割領域に前記第1層が露出する露出部を備える開口を形成するとともに、前記露出部に第1ダメージ領域を形成し、前記第1ダメージ領域の近傍であって、前記第1層の前記第2層に覆われる部分に第2ダメージ領域を形成するレーザスクライブ工程と、前記レーザスクライブ工程の後、前記基板を第1プラズマに晒すことにより前記第1ダメージ領域を異方的にエッチングして、前記第1ダメージ領域を除去するとともに、前記第2ダメージ領域の一部を露出させる異方性エッチング工程と、前記異方性エッチング工程の後、前記素子領域と前記分割領域と露出した前記第2ダメージ領域の前記一部とに保護膜を堆積させる保護膜堆積工程と、前記保護膜堆積工程の後、前記基板を第2プラズマに晒すことにより前記保護膜を異方的にエッチングして、前記分割領域に堆積した前記保護膜の一部および前記素子領域に堆積した前記保護膜を除去するとともに、前記第2ダメージ領域の前記一部を覆う前記保護膜を残存させる、保護膜エッチング工程と、前記保護膜エッチング工程の後、前記第2主面を支持部材で支持した状態で前記基板を第3プラズマに晒すことにより、前記分割領域を異方的にエッチングして、前記基板を、前記素子領域を備える複数の素子チップに分割するプラズマダイシング工程と、を備える、素子チップの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/301 , H01L 21/306 , B23K 26/351

FI (6件)：

H01L21/78 Q , H01L21/302 101C , H01L21/302 105B , H01L21/78 S , H01L21/78 B , B23K26/351

Fターム (35件)：

4E168AD04 , 4E168DA03 , 4E168DA04 , 4E168JA11 , 4E168JA27 , 5F004BA04 , 5F004BA09 , 5F004BB22 , 5F004BB23 , 5F004BB25 , 5F004BD01 , 5F004DA18 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F004DB01 , 5F004DB03 , 5F004DB07 , 5F004DB19 , 5F004DB20 , 5F063AA06 , 5F063BA07 , 5F063BA43 , 5F063BA45 , 5F063BB03 , 5F063CB02 , 5F063CB06 , 5F063CB12 , 5F063CB18 , 5F063CB22 , 5F063CB27 , 5F063CC23 , 5F063DD26 , 5F063DD40 , 5F063DD48 , 5F063DD98

引用特許：

審査官引用 (2件)

ウェーハの加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2014-100253 出願人：株式会社ディスコ
半導体装置および半導体装置の実装体および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-161734 出願人：松下電器産業株式会社

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