特許
J-GLOBAL ID：200903036567229319

半導体装置および半導体装置の実装体および半導体装置の製造方法

発明者：
湯川 昌行

湯川 昌行 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (4件)： 板垣 孝夫 ,  森本 義弘 ,  笹原 敏司 ,  原田 洋平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-161734
公開番号（公開出願番号）：特開2007-335424
出願日： 2006年06月12日
公開日（公表日）： 2007年12月27日
要約：
【課題】側面からの水分浸透や剥離等を防止し、溝形成時に発生する切削屑が半導体回路形成面等へ付着し不具合を発生させるのを防止することができる半導体装置および半導体装置の実装体および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】複数の半導体チップ2を有する半導体ウエハ1の表面を第一の封止樹脂7で覆い、半導体チップ2間を第一の封止樹脂7側からダイシングすることにより、半導体チップ2間に、第一の封止樹脂7側から半導体回路形成層2aを超える深さまで第一の溝14を形成し、第一の封止樹脂7側から第一の溝14に第二の封止樹脂15を充填し、第一の溝14より狭いダイシング幅W1によってダイシングし、第二の封止樹脂15を第一の封止樹脂7の側面と半導体回路形成層2aの側面と半導体チップ2の側面とに残した状態で、個片化する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
表面に半導体回路形成層を有する半導体チップと、 半導体チップの表面に設けられた半導体電極と、 半導体チップの表面を絶縁して保護する絶縁樹脂と、 半導体電極と電気的に接続される再配線と、 再配線と電気的に接続されるポストと、 半導体チップの表面と再配線とポストとを保護する第一の封止樹脂とを有し、 半導体チップの側面に、外側方へ張り出す張り出し部が形成され、 張り出し部は第一の封止樹脂側から半導体回路形成層を超えた深さに位置し、 第二の封止樹脂が、張り出し部による段差を埋めるとともに、第一の封止樹脂の側面と半導体回路形成層の側面と半導体チップの張り出し部までの側面とを覆うことを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/301 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/28
FI (5件)：
H01L21/78 L ,  H01L23/30 B ,  H01L23/12 501P ,  H01L23/28 C ,  H01L21/78 Q
Fターム (6件)：
4M109AA01 ,  4M109BA07 ,  4M109CA04 ,  4M109DB06 ,  4M109DB17 ,  4M109EE02
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-046301   出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
審査官引用 (3件)

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