特許
J-GLOBAL ID：201703001650836183
ルテニウム膜の形成方法および記憶媒体
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 宏志
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-059021
公開番号（公開出願番号）：特開2014-185353
特許番号：特許第6118149号
出願日： 2013年03月21日
公開日（公表日）： 2014年10月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に酸化ルテニウム膜を形成する工程と、
形成された前記酸化ルテニウム膜を還元してルテニウム膜とする工程とを有し、
前記酸化ルテニウム膜を還元する工程は、少なくとも、還元剤として水素を含有するルテニウム化合物ガスを供給することを含むことを特徴とするルテニウム膜の形成方法。
IPC (6件)：
C23C 16/56 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 21/285 ( 200 6.01)
, H01L 21/8242 ( 200 6.01)
, H01L 27/108 ( 200 6.01)
, C23C 16/40 ( 200 6.01)
C23C 16/56
, H01L 21/28 B
, H01L 21/285 C
, H01L 27/10 661
, C23C 16/40
出願人引用 (3件)
審査官引用 (5件)
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