特許

J-GLOBAL ID：201703001672707450

不純物評価方法及び不純物評価プログラム

発明者： 吉田 豊 ,  伊野 裕司 ,  副島 啓義 ,  早川 一生 ,  行平 憲一 ,  木村 啓子
出願人/特許権者： 学校法人静岡理工科大学 ,  株式会社アプコ
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  諏澤 勇司 ,  大森 鉄平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-103359
公開番号（公開出願番号）：特開2017-211232
出願日： 2016年05月24日
公開日（公表日）： 2017年11月30日
要約：

【課題】金属不純物の化学状態ごとの分布又は拡散挙動と試料の構造特性との対応を正確に行うことができる不純物評価方法及び不純物評価プログラムを提供する。【解決手段】不純物評価方法は、測定γ線を試料の測定領域へ照射して、顕微メスバウア分光測定法により、金属不純物の化学状態を金属成分ごとにマッピングする化学状態評価ステップと、化学状態評価ステップにて測定した測定領域へ電子線を照射して、走査電子顕微鏡法による表面観察又は電子線誘起電流に基づいた電気的に活性な欠陥の観察を行う構造観察ステップと、化学状態評価ステップにて測定した測定領域へ電子線を照射して、電子後方散乱回折法により結晶方位又は内部歪み分布を解析する構造解析ステップと、を含む。【選択図】図13

請求項（抜粋）：

試料に含まれる金属不純物を評価する不純物評価方法であって、 測定γ線を前記試料の測定領域へ照射して、顕微メスバウア分光測定法により、前記金属不純物の化学状態を金属成分ごとにマッピングする化学状態評価ステップと、 前記化学状態評価ステップにて測定γ線が照射された測定領域へ電子線を照射して、走査電子顕微鏡法による表面観察又は電子線誘起電流に基づいた電気的に活性な欠陥の観察を行う構造観察ステップと、 前記化学状態評価ステップにて測定γ線が照射された測定領域へ電子線を照射して、電子後方散乱回折法により結晶方位又は内部歪み分布を解析する構造解析ステップと、 を含む不純物評価方法。

IPC (6件)：

G01N 23/06 ,  G01N 23/18 ,  G01N 23/203 ,  G01N 23/225 ,  G01N 23/22 ,  G01N 23/20

FI (6件)：

G01N23/06 320 ,  G01N23/18 ,  G01N23/203 ,  G01N23/225 312 ,  G01N23/22 330 ,  G01N23/20 350

Fターム (22件)：

2G001AA02 ,  2G001AA03 ,  2G001AA10 ,  2G001BA03 ,  2G001BA05 ,  2G001BA15 ,  2G001BA30 ,  2G001CA01 ,  2G001CA02 ,  2G001CA03 ,  2G001CA10 ,  2G001GA01 ,  2G001HA09 ,  2G001JA08 ,  2G001JA11 ,  2G001KA01 ,  2G001KA03 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G001NA10 ,  2G001NA13 ,  2G001NA17

引用特許：

審査官引用 (1件)

• X線分光評価方法および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-160917   出願人：ソニー株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

• 「多結晶Si太陽電池評価のための顕微メスバウア分光装置の開発」
• 「太陽電池評価のための3D顕微メスバウア分光装置の開発」