特許
J-GLOBAL ID：201703001713501110

樹脂封止型半導体装置及びその製造方法

発明者：
蔵原 卓

蔵原 卓 について

, 
北原 浩

北原 浩 について


出願人/特許権者：
株式会社巴川製紙所

株式会社巴川製紙所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-055260
公開番号（公開出願番号）：特開2017-168784
出願日： 2016年03月18日
公開日（公表日）： 2017年09月21日
要約：
【課題】 本発明は、高周波設備、機器、デバイスなどの情報通信機器に用いられる各種の樹脂封止された半導体デバイスのノイズ障害を防止する樹脂封止型半導体装置であり、かつ、従来はリリースフィルムが工程上必要であったのに対して容易に電磁波シールド機能を有する樹脂封止型半導体装置が得られる製造方法を提供する。【解決手段】 配線基板又はリードフレームからなる基体と、前記基体に固定された半導体素子と、前記半導体素子を封止してなる封止樹脂と、前記封止樹脂の外周部の一部又は全面に形成された電磁波シールド材とを有する樹脂封止型半導体装置であって、前記電磁波シールド材が、樹脂層中に細孔のある導電層が形成されたシートである樹脂封止型半導体装置。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
配線基板又はリードフレームからなる基体と、前記基体に固定された半導体素子と、前記半導体素子を封止してなる封止樹脂と、前記封止樹脂の外周部の一部又は全面に形成された電磁波シールド材とを有する樹脂封止型半導体装置であって、 前記電磁波シールド材が、樹脂層中に細孔のある導電層が形成されたシートであることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/28 ,  H01L 23/00 ,  H01L 21/56
FI (3件)：
H01L23/28 F ,  H01L23/00 C ,  H01L21/56 T
Fターム (11件)：
4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA21 ,  4M109EE07 ,  5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA21 ,  5F061CB12 ,  5F061DA01
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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