特許
J-GLOBAL ID：201703001768456288

炭化珪素半導体装置

発明者：
酒井 光彦

酒井 光彦 について

, 
日吉 透

日吉 透 について

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田中 聡

田中 聡 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-086255
公開番号（公開出願番号）：特開2017-195333
出願日： 2016年04月22日
公開日（公表日）： 2017年10月26日
要約：
【課題】ゲート絶縁膜の信頼性を向上可能な炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】炭化珪素基板10は、第1不純物領域21と、第1不純物領域21に接し、かつp型を有する第2不純物領域22と、第1不純物領域21および第2不純物領域22上にあり、かつn型を有する第3不純物領域23と、ボディ領域13と、ソース領域14とを含む。ゲート絶縁膜15は、側面3において、ソース領域14と、ボディ領域13と、第3不純物領域23と接し、かつ底面4において、第3不純物領域23と接している。主面1に対して垂直な方向から見て、第2不純物領域22は、底面4を包含しており、かつ第2不純物領域22の面積は、底面4の面積より大きく、底面4の面積の3倍以下である。第2不純物領域22の不純物濃度は、1×1019cm-3を超え、1×1021cm-3以下である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
主面を有する炭化珪素基板と、 前記炭化珪素基板上にあるゲート絶縁膜とを備え、 前記炭化珪素基板は、 n型を有する第1不純物領域と、 前記第1不純物領域に接し、かつp型を有する第2不純物領域と、 前記第1不純物領域および前記第2不純物領域上にあり、前記第1不純物領域よりも高い不純物濃度を有し、かつn型を有する第3不純物領域と、 前記第3不純物領域上にあり、かつp型を有するボディ領域と、 前記ボディ領域上にあり、前記ボディ領域によって前記第3不純物領域から隔てられており、かつn型を有するソース領域とを含み、 前記主面には、側面と、前記側面と連なる底面とにより規定されたトレンチが設けられており、 前記ゲート絶縁膜は、前記側面において、前記ソース領域と、前記ボディ領域と、前記第3不純物領域と接し、かつ前記底面において、前記第3不純物領域と接しており、 前記主面に対して垂直な方向から見て、 前記第2不純物領域は、前記底面を包含しており、かつ前記第2不純物領域の面積は、前記底面の面積より大きく、前記底面の面積の3倍以下であり、 前記第2不純物領域の不純物濃度は、1×1019cm-3を超え、1×1021cm-3以下である、炭化珪素半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/47
FI (9件)：
H01L29/78 652H ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/86 301F ,  H01L29/86 301D ,  H01L29/86 301M ,  H01L29/86 301E ,  H01L29/48 F
Fターム (23件)：
4M104AA03 ,  4M104BB01 ,  4M104BB14 ,  4M104BB21 ,  4M104BB36 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104DD12 ,  4M104DD16 ,  4M104DD37 ,  4M104DD78 ,  4M104DD79 ,  4M104DD84 ,  4M104EE03 ,  4M104EE06 ,  4M104EE15 ,  4M104FF02 ,  4M104FF27 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104HH15
引用特許：
出願人引用 (2件)

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