特許
J-GLOBAL ID:201703002010329664

セラミックスの表面改質方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-214163
公開番号(公開出願番号):特開2014-065649
特許番号:特許第6111035号
出願日: 2012年09月27日
公開日(公表日): 2014年04月17日
請求項(抜粋):
【請求項1】 セラミックス表面にレーザーを照射することによって導電部を形成するセラミックスの表面改質方法であって、改質すべきセラミックス表面部分を被覆剤で覆った状態で、波長300nm〜900nmのレーザーを照射する工程を有する、セラミックスの表面改質方法。
IPC (1件):
C04B 41/91 ( 200 6.01)
FI (1件):
C04B 41/91 E
引用特許:
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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