特許
J-GLOBAL ID：201703002030001916
半導体装置、並びに半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-019554
公開番号（公開出願番号）：特開2017-139345
出願日： 2016年02月04日
公開日（公表日）： 2017年08月10日
要約：
【課題】 回路基板と放熱基板が焼結金属によって高強度に接合され、かつ信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置が、複数の半導体素子101と、複数の半導体素子が搭載される絶縁回路基板と、接合層を介して絶縁回路基板と接合される放熱基板105と、を備え、接合層は、複数の半導体素子の直下に位置する複数の第一焼結金属層102aと、第一焼結金属層よりも空隙率が大きく、かつ、絶縁回路基板の外周部に接すると共に、複数の第一焼結金属層の各々を囲む第二焼結金属層102bと、を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数の半導体素子と、
前記複数の半導体素子が搭載される絶縁回路基板と、
接合層を介して前記絶縁回路基板と接合される放熱基板と、
を備え、
前記接合層は、
前記複数の半導体素子の直下に位置する複数の第一焼結金属層と、
前記第一焼結金属層よりも空隙率が大きく、かつ、前記絶縁回路基板の外周部に接すると共に、前記複数の第一焼結金属層の各々を囲む第二焼結金属層と、
を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/36
, H01L 25/04
, H01L 25/18
, H01L 23/12
H01L23/36 D
, H01L25/04 Z
, H01L23/12 J
5F136BB04
, 5F136BC06
, 5F136DA27
, 5F136FA01
, 5F136FA03
, 5F136GA31
