特許
J-GLOBAL ID：201703002429057842

R-T-B系磁石の製造方法

発明者：
西内 武司

西内 武司 について

, 
重本 恭孝

重本 恭孝 について


出願人/特許権者：
日立金属株式会社

日立金属株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-191753
公開番号（公開出願番号）：特開2017-069337
出願日： 2015年09月29日
公開日（公表日）： 2017年04月06日
要約：
【課題】重希土類元素をできるだけ使用することなく、高いHcJを有するR-T-B系磁石の製造方法の提供。【解決手段】[T1]/[X]のmol比が13.6以上であることを主たる特徴とするR1-T1-X(R1は主としてNd、T1は主としてFe、Xは主としてB)系合金バルク体を準備する工程、R2-Ga-Cu(R2は主としてPrおよび/またはNdであり65mol%以上95mol%以下、[Cu]/([Ga]+[Cu])がmol比で0.1以上0.9以下)系合金を準備する工程、R1-T1-X系合金バルク体表面の少なくとも一部にR2-Ga-Cu系合金の少なくとも一部を接触させ、450°C以上600°C以下の温度で熱処理する工程、を含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
R-T-B(Rは希土類元素のうち少なくとも一種でありNdを必ず含み、Tは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありFeを必ず含み、Bの一部をCで置換することができる)系磁石の製造方法であって、 平均結晶粒径が1μm以下で磁気的異方性を有する、R1-T1-X(R1は希土類元素のうち少なくとも一種でありNdを必ず含み、27mass%以上35mass%以下であり、T1はFeまたはFeとMであり、MはGa、Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Co、Ni、Cu、Zn、Ge、Zr、Nb、Mo、Agから選択される一種以上であり、XはBでありBの一部をCで置換することができ、[T1]/[X]のmol比が13.6以上である)系合金バルク体を準備する工程と、 R2-Ga-Cu(R2は希土類元素のうち少なくとも一種でありPrおよび/またはNdを必ず含み、65mol%以上95mol%以下であり、[Cu]/([Ga]+[Cu])がmol比で0.1以上0.9以下である)系合金を準備する工程と、 前記R1-T1-X系合金バルク体の表面の少なくとも一部に、前記R2-Ga-Cu系合金の少なくとも一部を接触させ、真空又は不活性ガス雰囲気中、450°C以上600°C以下の温度で熱処理をする工程と、 を含むR-T-B系磁石の製造方法。
IPC (9件)：
H01F 41/02 ,  H01F 1/057 ,  H01F 1/08 ,  C22C 38/00 ,  C22C 28/00 ,  C22C 33/02 ,  B22F 3/24 ,  B22F 1/00 ,  B22F 3/00
FI (10件)：
H01F41/02 G ,  H01F1/04 H ,  H01F1/08 A ,  C22C38/00 303D ,  C22C28/00 A ,  C22C33/02 H ,  B22F3/24 K ,  B22F1/00 R ,  B22F3/00 F ,  B22F1/00 Y
Fターム (21件)：
4K018AA27 ,  4K018BA18 ,  4K018BA20 ,  4K018BB04 ,  4K018BC08 ,  4K018CA04 ,  4K018EA01 ,  4K018FA08 ,  4K018FA11 ,  4K018FA12 ,  4K018KA45 ,  5E040AA04 ,  5E040CA01 ,  5E040HB07 ,  5E040HB11 ,  5E040NN01 ,  5E040NN06 ,  5E040NN18 ,  5E062CD04 ,  5E062CE04 ,  5E062CG02
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • ヘッドスライダ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-242687   出願人：ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ
  • 希土類含有バルク磁石の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-065608   出願人：日立粉末冶金株式会社, 日産自動車株式会社

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