特許
J-GLOBAL ID:201703002502256735
積層体及び積層体の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
志賀 正武
, 森 隆一郎
, 飯田 雅人
, 大浪 一徳
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-213832
公開番号(公開出願番号):特開2017-119423
出願日: 2016年10月31日
公開日(公表日): 2017年07月06日
要約:
【課題】基材、導電層及び被覆層がこの順に積層された積層体として、形成済みの被覆層の貼付工程を行うことなく製造可能であり、湿熱条件下でも積層体全体のヘーズの変化が抑制される積層体、及びその製造方法の提供。【解決手段】基材11、導電層12及び被覆層13がこの順に積層された積層体1において、被覆層13側から測定したヘーズがH0である積層体1を、温度85°C、相対湿度85%の雰囲気下で280時間処理した後、被覆層13側から測定した積層体1のヘーズをH280としたときに、下記式(I280)により算出される積層体1のヘーズ変化率ΔH280が80%以下となるように構成する(ΔH280(%)=(H280-H0)/H0×100 ・・・・(I280))。【選択図】図1
請求項(抜粋):
積層体であって、
基材と、
前記基材上に設けられた導電層と、
前記導電層上に設けられた被覆層と、を備え、
前記被覆層側から測定した第1のヘーズがH0である前記積層体を、温度85°C、相対湿度85%の雰囲気下で280時間処理した後、前記被覆層側から測定した前記積層体の第2のヘーズをH280と定義したときに、
式I280:ΔH280(%)=(H280-H0)/H0×100により算出される前記積層体のヘーズ変化率ΔH280が80%以下である積層体。
IPC (3件):
B32B 7/02
, B05D 5/00
, H01B 5/14
FI (3件):
B32B7/02 104
, B05D5/00 F
, H01B5/14 A
Fターム (39件):
4D075CA13
, 4D075CA22
, 4D075CA40
, 4D075CB06
, 4D075DB48
, 4D075DC21
, 4D075EA19
, 4D075EA21
, 4D075EB22
, 4D075EB38
, 4D075EC30
, 4F100AB17B
, 4F100AB24B
, 4F100AK01A
, 4F100AK01C
, 4F100AK25
, 4F100AK51
, 4F100AT00A
, 4F100BA03
, 4F100BA07
, 4F100BA10A
, 4F100BA10C
, 4F100DC21B
, 4F100EH46
, 4F100EJ54
, 4F100GB41
, 4F100GB43
, 4F100HB31
, 4F100JB14C
, 4F100JG01B
, 4F100JK06
, 4F100JK06C
, 4F100JN01C
, 4F100YY00C
, 5G307FA01
, 5G307FA02
, 5G307FB02
, 5G307FC04
, 5G307FC06
引用特許:
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