特許
J-GLOBAL ID：201703002955488513
密閉キャビティ形成のためのフリップチップハイブリダイゼーション方法、およびこのような方法によって得られるシステム
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
村山 靖彦
, 志賀 正武
, 渡邊 隆
, 実広 信哉
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-145357
公開番号（公開出願番号）：特開2013-016801
特許番号：特許第6168738号
出願日： 2012年06月28日
公開日（公表日）： 2013年01月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 一方が他方の上に置かれ、その間に充填材料(28)に埋め込まれた少なくとも1つの密閉キャビティ(26)が形成される、少なくとも1つの第1マイクロ電子部品(10)および第2マイクロ電子部品(24)を含むマイクロ電子アセンブリの製造方法であって、
-ベント(18)として用いられる開口部を除いて前記第1部品(10)の所定の領域のまわりに広がる閉鎖フレームを形成する側壁(14)を用いて、前記キャビティを規定する段階と、
-前記閉鎖フレーム内および前記ベントと向かい合って、前記側壁と共同して充填材料に対するバイパスダクトまたはライン(22)を形成できる妨害物(16)を形成する段階と、
-前記第1部品(10)および前記第2部品(24)のフリップチップハイブリダイゼーションを実施する段階であって、前記第2部品の表面は、前記少なくとも1つのキャビティ(26)を形成するために前記第1部品上に形成された前記側壁の上端または終端上にある、段階と、
-前記2つのハイブリッド化部品の間に液体形態の前記充填材料(28)を注入する段階であって、前記少なくとも1つのキャビティを埋め込み、前記充填材料(28)が固化するときに前記ベント(18)の閉塞によってそれを密閉する、段階と、を含み、
前記バイパスダクト(22)の長さは、前記ベント(18)の位置への前記充填材料の提供と前記充填材料が固化する瞬間の間に前記充填材料(28)が移動する距離より大きい、マイクロ電子アセンブリの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 23/10 ( 200 6.01)
, H01L 23/02 ( 200 6.01)
, B81B 7/02 ( 200 6.01)
, B81C 3/00 ( 200 6.01)
H01L 23/10 B
, H01L 23/02 B
, B81B 7/02
, B81C 3/00
