特許
J-GLOBAL ID:201703003019949670

積層セラミックコンデンサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 片山 修平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-109160
公開番号(公開出願番号):特開2017-216358
出願日: 2016年05月31日
公開日(公表日): 2017年12月07日
要約:
【課題】高周波数帯での損失が少ない積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】積層セラミックコンデンサ100は、セラミック誘電体層30と、鉄族以外の遷移金属を主成分とする内部電極層40と、が交互に積層され、積層された複数の前記内部電極層が交互に異なる端面に露出するように形成されたセラミック積層体10と、前記セラミック積層体の前記内部電極層が露出する端面に形成された少なくとも1対の外部電極20a、20bと、を備える。各外部電極は、5重量%以下のセラミックを含有し鉄族以外の遷移金属もしくは貴金属を主成分とし前記セラミック積層体に接して設けられた下地導体層21と、下地導体層を覆い下地導体層の厚みに対して1/2以上の厚みを有し鉄族以外の遷移金属を主成分とする第1めっき膜22と、を備えることを特徴とする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
セラミック誘電体層と、鉄族以外の遷移金属を主成分とする内部電極層と、が交互に積層され、積層された複数の前記内部電極層が交互に異なる端面に露出するように形成されたセラミック積層体と、 前記セラミック積層体の前記内部電極層が露出する端面に形成された少なくとも1対の外部電極と、を備え、 前記外部電極は、5重量%以下のセラミックを含有し鉄族以外の遷移金属もしくは貴金属を主成分とし前記セラミック積層体に接して設けられた下地導体層と、前記下地導体層を覆い前記下地導体層の厚みに対して1/2以上の厚みを有し鉄族以外の遷移金属を主成分とする第1めっき膜と、を備えることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
IPC (3件):
H01G 4/232 ,  H01G 4/30 ,  H01G 4/12
FI (5件):
H01G4/12 361 ,  H01G4/12 352 ,  H01G4/30 301B ,  H01G4/30 301E ,  H01G4/12 358
Fターム (39件):
5E001AB03 ,  5E001AC04 ,  5E001AD04 ,  5E001AE00 ,  5E001AF06 ,  5E001AH01 ,  5E001AH07 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ02 ,  5E001AJ03 ,  5E082AA01 ,  5E082AB03 ,  5E082BC14 ,  5E082BC23 ,  5E082BC30 ,  5E082BC31 ,  5E082BC40 ,  5E082EE04 ,  5E082EE22 ,  5E082EE23 ,  5E082EE27 ,  5E082EE35 ,  5E082FF05 ,  5E082FG04 ,  5E082FG22 ,  5E082FG26 ,  5E082FG46 ,  5E082FG54 ,  5E082GG10 ,  5E082GG12 ,  5E082GG26 ,  5E082GG28 ,  5E082JJ02 ,  5E082JJ03 ,  5E082JJ26 ,  5E082KK01 ,  5E082LL02 ,  5E082MM22 ,  5E082MM24
引用特許:
審査官引用 (6件)
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