特許
J-GLOBAL ID：201703003356300111
シリコンウェーハ中の重金属不純物固溶限界濃度測定方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
石原 進介
, 石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-021178
公開番号（公開出願番号）：特開2017-139426
出願日： 2016年02月05日
公開日（公表日）： 2017年08月10日
要約：
【課題】ゲッタリング機構分類や、その特性調査に必須な固溶度という元素特有の物性定数、特に拡散の遅い元素に対しても有効な、シリコンウェーハ中の重金属不純物固溶限界濃度測定方法を提供する。【解決手段】シリコンウェーハ10中の重金属不純物固溶限界濃度測定方法は、第一シリコン単結晶層12と、第一シリコン単結晶層12上に形成した酸化膜層14と、酸化膜層14上に形成し、測定対象とする第二シリコン単結晶層16とからなる3層構造としたシリコンウェーハ10に対して、第二シリコン単結晶層16に飽和するまで測定対象元素を拡散する工程と、拡散工程の後、第二シリコン単結晶層16中の測定対象元素の濃度を測定することにより固溶限界濃度を決定する工程と、を含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
電子デバイス形成用基板であるシリコンウェーハ中の重金属不純物の固溶限界濃度を測定する方法であり、
第一シリコン単結晶層と、前記第一シリコン単結晶層上に形成された酸化膜層と、前記酸化膜上に形成され、測定対象とされる第二シリコン単結晶層とからなる3層構造とされたシリコンウェーハに対して、
前記第二シリコン単結晶層に飽和するまで測定対象元素を拡散する工程と、
前記拡散工程の後、前記第二シリコン単結晶層中の前記測定対象元素の濃度を測定することにより固溶限界濃度を決定する工程と、を含む
シリコンウェーハ中の重金属不純物固溶限界濃度測定方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/66 L
, H01L21/322 G
4M106AA01
, 4M106BA20
, 4M106CB01
, 4M106DH56
