過酸化水素の製造方法および製造装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-062043
公開番号（公開出願番号）：特開2017-171554
出願日： 2016年03月25日
公開日（公表日）： 2017年09月28日
要約：

【課題】太陽光などの光エネルギーを利用し、可視光応答性n型半導体を導電性基板に備えた半導体光電極を用いて水から過酸化水素水を効率よく製造することのできる過酸化水素の製造方法や製造装置を提供する。【解決手段】炭酸塩を含む電解液と、該電解液中に設けられたアノード電極を用い、アノード電極表面に光を照射して酸化還元方法によって過酸化水素を製造する、水の光電気化学反応による過酸化水素の製造方法であって、前記アノード電極は、表面の可視光応答性n型半導体と、該n型半導体に担持されAg、Al、Co、Cu、Nb、Ni、Ta、Ti、Zr、La、Ce、In、Si、Znから選択される1種又は2種以上の元素の酸化物とを有するものであることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

炭酸塩を含む電解液と、該電解液中に設けられたアノード電極を用い、アノード電極表面に光を照射して酸化還元方法によって過酸化水素を製造する、水の光電気化学反応による過酸化水素の製造方法であって、前記アノード電極は、表面の可視光応答性n型半導体と、該n型半導体に担持されAg、Al、Co、Cu、Nb、Ni、Ta、Ti、Zr、La、Ce、In、Si、Znから選択される1種又は2種以上の元素の酸化物とを有するものであることを特徴とする、水の光電気化学反応による過酸化水素の製造方法。

IPC (1件)：

C01B 15/027

FI (1件)：

C01B15/027

引用特許：

審査官引用 (4件)

可視光応答性半導体光電極
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-152506 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
過酸化水素の光分解型発生
公報種別：公表公報出願番号：特願2008-531406 出願人：バッテルメモリアルインスティテュート
過炭酸化合物の電解合成方法及び電解合成セル
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-001312 出願人：ペルメレック電極株式会社

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引用文献：

審査官引用 (3件)

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