特許

J-GLOBAL ID：201703003511030673

相変化チャネルトランジスタ及びその駆動方法。

発明者： 富永 淳二 ,  ポール フォンス ,  太田 裕之 ,  森田 行則 ,  右田 真司 ,  伊藤 正勝
出願人/特許権者： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-055572
公開番号（公開出願番号）：特開2017-152708
出願日： 2017年03月22日
公開日（公表日）： 2017年08月31日
要約：

【課題】高いチャネル移動度と高いオン/オフ比とを両立しうる相変化チャネルトランジスタ及びその駆動方法を提供する。【解決手段】電界の印加によりトポロジカル相転移が生じる相変化材料を含むチャネル層20と、チャネル層20に接続されたソース電極24及びドレイン電極26と、チャネル層20の第1の面上に形成された絶縁膜12と、絶縁膜12上に形成された第1のゲート電極(シリコン基板10)と、ソース電極24とドレイン電極26との間のチャネル層20の第2の面上に形成された第2のゲート電極22とを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

バックゲート電極と、 前記バックゲート電極上に形成され、厚膜部と、前記厚膜部を挟むように配置された薄膜部と、前記厚膜部と前記薄膜部との境界部に配置された傾斜部とを有する絶縁膜と、 前記絶縁膜上に形成され、電界の印加によりトポロジカル相転移が生じる相変化材料を含むチャネル層と、 前記厚膜部上の前記チャネル層の上に形成されたゲート電極と、 前記チャネル層上の、前記厚膜部から前記薄膜部に至る領域に形成されたソース電極及びドレイン電極と を有することを特徴とする相変化チャネルトランジスタ。

IPC (15件)：

H01L 29/66 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/808 ,  H01L 21/338 ,  H01L 45/00 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/15 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/24

FI (9件)：

H01L29/66 Z ,  H01L29/80 W ,  H01L45/00 A ,  H01L27/105 449 ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M ,  H01L29/58 G ,  H01L29/06 601S ,  H01L29/24

Fターム (41件)：

4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB30 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD24 ,  4M104DD37 ,  4M104DD40 ,  4M104DD42 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD94 ,  4M104FF02 ,  4M104FF06 ,  4M104FF26 ,  4M104FF31 ,  4M104GG09 ,  4M104GG16 ,  4M104HH20 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA05 ,  5F083GA06 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083HA08 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083PR03 ,  5F083PR05 ,  5F083PR12 ,  5F083PR22 ,  5F102GB02 ,  5F102GC05 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK10 ,  5F102GT06

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 電気光学装置及び電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-294320   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 薄膜集積素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-340427   出願人：日本電気株式会社