特許
J-GLOBAL ID：201703003695530223
シリコン精製の鋳型および方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (11件)：
清水 初志
, 春名 雅夫
, 山口 裕孝
, 刑部 俊
, 井上 隆一
, 佐藤 利光
, 新見 浩一
, 小林 智彦
, 大関 雅人
, 五十嵐 義弘
, 川本 和弥
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-555747
特許番号：特許第6177805号
出願日： 2013年02月01日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 るつぼにおいて溶融金属合金を形成する工程であって、該合金がシリコンとの二成分共晶系を形成する、工程;
該溶融金属合金からシリコンを析出させるために、該溶融金属合金の少なくとも一部を液相線温度より低くかつ共晶温度より高い温度まで冷却する工程;
該るつぼ内を該共晶温度より高い最低温度に維持するために、該るつぼ内の温度を制御する工程;
該溶融金属合金の上面を該溶融金属合金の上面に隣接する該共晶温度より高い最低温度に維持するために、少なくとも該溶融金属合金の上面を能動的に加熱する工程;
該るつぼの壁部より高い熱伝導性を有する熱伝導性材料を含むるつぼの底面から優先的に、該溶融金属合金を冷却する工程;および
析出した該シリコンを該溶融金属合金から分離する工程
を含む、方法。
IPC (3件)：
C01B 33/037 ( 200 6.01)
, B22D 27/04 ( 200 6.01)
, C01B 33/06 ( 200 6.01)
C01B 33/037
, B22D 27/04 Z
, C01B 33/06
