特許
J-GLOBAL ID:201703003769060755
III族窒化物基板の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
福岡 昌浩
, 橘高 英郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-182170
公開番号(公開出願番号):特開2017-014106
出願日: 2016年09月16日
公開日(公表日): 2017年01月19日
要約:
【課題】複数の種結晶基板を並べて形成した種結晶基板上に結晶成長を行うIII族窒化物基板の作製に関し、新規な技術を提供する。 【解決手段】 III族窒化物基板の製造方法は、側面同士を対向させて並べられるような形状に成形された複数の種結晶基板を用意する工程と、隣り合う前記種結晶基板の側面同士が対向して並んだ配置となるように、複数の種結晶基板を、基材上に配置する工程と、複数の種結晶基板の主面上方に、各々の主面上方に成長した結晶同士が結合して一体化するように、III族窒化物結晶を成長させる工程と、を有し、複数の種結晶基板を基材上に配置する工程では、複数の種結晶基板が、円板状に組み合わされて配置される。【選択図】図1
請求項(抜粋):
側面同士を対向させて並べられるような形状に成形された複数の種結晶基板を用意する工程と、
隣り合う前記種結晶基板の前記側面同士が対向して並んだ配置となるように、前記複数の種結晶基板を、基材上に配置する工程と、
前記複数の種結晶基板の主面上方に、各々の主面上方に成長した結晶同士が結合して一体化するように、III族窒化物結晶を成長させる工程と、
を有し、
前記複数の種結晶基板を前記基材上に配置する工程では、前記複数の種結晶基板が、円板状に組み合わされて配置されるIII族窒化物基板の製造方法。
IPC (5件):
C30B 25/20
, C30B 29/38
, C23C 16/34
, C23C 16/01
, H01L 21/205
FI (5件):
C30B25/20
, C30B29/38 D
, C23C16/34
, C23C16/01
, H01L21/205
Fターム (36件):
4G077AA02
, 4G077AA03
, 4G077BE15
, 4G077DB05
, 4G077ED04
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077EF03
, 4G077HA02
, 4G077HA12
, 4G077TB04
, 4G077TC13
, 4G077TK01
, 4G077TK06
, 4G077TK08
, 4K030AA03
, 4K030AA13
, 4K030AA17
, 4K030AA18
, 4K030BA08
, 4K030BA38
, 4K030BB02
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030DA02
, 4K030DA08
, 4K030FA10
, 4K030LA14
, 5F045AB14
, 5F045AC03
, 5F045AC12
, 5F045AD14
, 5F045AE25
, 5F045AF04
, 5F045AF11
, 5F045GH01
引用特許:
出願人引用 (5件)
-
単結晶の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-090883
出願人:株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所
-
窒化物半導体結晶の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2012-190555
出願人:三菱化学株式会社
-
特許第4915128号
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審査官引用 (6件)
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