特許
J-GLOBAL ID：201203032875745972
自立基板の製造方法、AlN自立基板及びIII族窒化物半導体デバイス
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
重泉 達志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-060889
公開番号（公開出願番号）：特開2012-197190
出願日： 2011年03月18日
公開日（公表日）： 2012年10月18日
要約：
【課題】種結晶基板を用いた昇華法であっても、品質の良い結晶を得ることのできる自立基板の製造方法、この製造方法により製造されたAlN自立基板、及び、このAlN自立基板を用いたIII族窒化物半導体デバイスを提供する。【解決手段】自立基板の製造にあたり、種結晶基板としてSiC基板6の表面上に昇華法により成長材料としてAlNを成長させるとともに、成長材料の成長時に種結晶基板を昇華させる。これにより、成長材料の成長時に種結晶基板が除去されるので、成長材料と種結晶基板6の熱膨張係数等の違いに起因して成長材料中に欠陥が生じることは殆どない。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
種結晶基板の表面上に、昇華法により成長材料を成長させる材料成長工程と、
前記成長材料の成長時に、前記種結晶基板を昇華させる種結晶昇華工程と、を含む自立基板の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (13件)：
4G077AA02
, 4G077BE13
, 4G077DA02
, 4G077DA18
, 4G077ED06
, 4G077EG04
, 4G077EG11
, 4G077FJ03
, 4G077HA02
, 4G077HA12
, 4G077SA01
, 4G077SA04
, 4G077SA12
