特許
J-GLOBAL ID：201703003947000389
SiC基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
志賀 正武
, 鈴木 三義
, 荒 則彦
, 三國 修
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-276164
公開番号（公開出願番号）：特開2014-120683
特許番号：特許第6126833号
出願日： 2012年12月18日
公開日（公表日）： 2014年06月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 SiC基板の表面に、前記表面の最大高低差以上の膜厚の犠牲膜を形成する犠牲膜形成工程と、
前記犠牲膜の表面を機械加工により平坦化する犠牲膜平坦化工程と、
前記SiC基板と前記犠牲膜のエッチング選択比が0.5〜2.0の範囲になる条件でドライエッチングすることにより、前記犠牲膜を除去すると同時に前記SiC基板の前記表面を平坦化するSiC基板平坦化工程と、を具備し、
前記犠牲膜としてカーボン膜を用い、前記カーボン膜をスパッタ法により形成し、
前記犠牲膜形成工程に供する前記SiC基板として、SiCインゴットから切り出されたSiC基板を用い、
前記SiC基板を前記SiCインゴットから切り出した後、前記犠牲膜平坦化工程の前に、前記SiC基板の前記表面の凸部を機械加工によって予備的に平坦化することを特徴とするSiC基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ( 200 6.01)
, C30B 29/36 ( 200 6.01)
, C30B 33/12 ( 200 6.01)
H01L 21/302 105 B
, C30B 29/36 A
, C30B 33/12
