特許
J-GLOBAL ID：201703004741901149
拡散ウェーハの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-147942
公開番号（公開出願番号）：特開2015-023062
特許番号：特許第6047456号
出願日： 2013年07月16日
公開日（公表日）： 2015年02月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 上面及び下面に不純物が拡散された不純物拡散層と前記不純物が拡散されないバルク部分とを有するシリコンウェーハから、一方の前記不純物拡散層を研削することにより、又は、前記シリコンウェーハの厚み方向における中央線に沿って二分割することにより、前記不純物拡散層と前記バルク部分からなる非拡散層との二層構造からなるシリコンウェーハを作製する拡散ウェーハの製造方法であって、
前記不純物を拡散させる原料シリコンウェーハとして、少なくとも一部において結晶中窒素濃度が1.5×1015atoms/cm3以下であるFZ単結晶シリコンインゴットから製造した、結晶中窒素濃度が1.5×1015atoms/cm3以下であるシリコンウェーハを使用することを特徴とする拡散ウェーハの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 ( 200 6.01)
, C30B 29/06 ( 200 6.01)
, C30B 15/00 ( 200 6.01)
, C30B 15/04 ( 200 6.01)
H01L 21/304 601 Z
, C30B 29/06 501 A
, C30B 29/06 A
, C30B 15/00
, C30B 15/04
, H01L 21/304 631
