特許
J-GLOBAL ID：200903059467899384

シリコンウエーハの製造方法及びシリコンウエーハ

発明者：
木村 明浩

木村 明浩 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-176784
公開番号（公開出願番号）：特開2006-004983
出願日： 2004年06月15日
公開日（公表日）： 2006年01月05日
要約：
【課題】COPフリー領域や酸素析出物フリー領域が十分に確保されており、またウエーハ表面にヘイズや異物の焼き付きが無く、さらにウエーハ裏面に治具との接触痕も無い高品質のシリコンウエーハを製造することのできるシリコンウエーハの製造方法を提供する。【解決手段】シリコン単結晶からシリコンウエーハを製造する方法であって、前記シリコン単結晶から切り出されたウエーハに、少なくとも、ウエーハの両面を鏡面研磨する両面研磨工程と、該鏡面研磨されたウエーハを熱処理する熱処理工程と、該熱処理されたウエーハの表面または両面を再度研磨する再研磨工程とを行うことを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリコン単結晶からシリコンウエーハを製造する方法であって、前記シリコン単結晶から切り出されたウエーハに、少なくとも、ウエーハの両面を鏡面研磨する両面研磨工程と、該鏡面研磨されたウエーハを熱処理する熱処理工程と、該熱処理されたウエーハの表面または両面を再度研磨する再研磨工程とを行うことを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 ,  B24B 37/04 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/324
FI (4件)：
H01L21/304 621A ,  B24B37/04 F ,  H01L21/322 Y ,  H01L21/324 X
Fターム (4件)：
3C058AA07 ,  3C058CB02 ,  3C058CB10 ,  3C058DA17
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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