特許
J-GLOBAL ID:201703004927736920

回路装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西澤 利夫
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-047884
公開番号(公開出願番号):特開2014-175519
特許番号:特許第6115762号
出願日: 2013年03月11日
公開日(公表日): 2014年09月22日
請求項(抜粋):
【請求項1】 下面にはんだを成分とするバンプが形成されたバンプ付きの半導体部品を、基板に形成された電極に前記バンプをはんだ接合することにより実装する回路装置の製造方法において、 前記基板の少なくとも前記電極を含む表面に、印刷または塗布によってはんだ粒子およびフラックス成分を含有する熱硬化性樹脂組成物(A)を供給する工程と、 前記半導体部品のバンプに、はんだ粒子およびフラックス成分を含有する熱硬化性樹脂組成物(B)を転写によって付着させて前記バンプに供給する工程と、 前記熱硬化性樹脂組成物(B)を前記バンプに供給した前記半導体部品を、前記熱硬化性樹脂組成物(A)を前記電極に供給した前記基板に搭載する工程と、 前記半導体部品を搭載した前記基板を所定の加熱プロファイルにしたがって加熱することにより、前記バンプを溶融固化し、かつ前記はんだ粒子を溶融一体化させ、前記電極と前記半導体部品とを接続するはんだ接合部を形成し、かつ前記熱硬化性樹脂組成物(A)、(B)を硬化させて前記はんだ接合部を周囲から補強する樹脂補強部を形成する工程とを含み、 前記熱硬化性樹脂組成物(A)、(B)中のはんだ粒子の含有量は、40〜95質量%の範囲であり、 前記樹脂補強部を、前記基板の上面から前記はんだ接合部の高さの50%以上の高さまで前記はんだ接合部の周囲に存在するように、かつ前記はんだ接合部の全体を覆わずに形成することを特徴とする回路装置の製造方法。
IPC (1件):
H01L 21/60 ( 200 6.01)
FI (1件):
H01L 21/60 311 S
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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