特許
J-GLOBAL ID:201703005480428498
ナノインプリント用テンプレートの製造方法及びテンプレート
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (6件):
藤枡 裕実
, 深町 圭子
, 伊藤 英生
, 後藤 直樹
, 伊藤 裕介
, 立石 英之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-204517
公開番号(公開出願番号):特開2017-022416
出願日: 2016年10月18日
公開日(公表日): 2017年01月26日
要約:
【課題】 ナノインプリントによりマスターテンプレートからレプリカテンプレートを製造するレプリカテンプレートの製造方法において、段差構造の外周領域に生じる局所的なパターン歪みを取り除き、パターン位置精度の良好なテンプレートの製造方法及びテンプレートを提供する。【解決手段】 1段の段差構造を備える第1のテンプレートから、2段の段差構造を備える第2のテンプレートを製造するナノインプリント用テンプレートの製造方法であって、第1のテンプレートの1段の段差構造の外周領域をエッチングして、パターン領域を上面に有する中央部と、中央部よりも高さが低い外周部から構成される2段の段差構造を形成する工程と、を備え、前記外周領域が、第1のテンプレートの1段の段差構造において、局所的なパターン歪みを生じる領域を含むことを特徴とする。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
1段の段差構造を備える第1のテンプレートから、2段の段差構造を備える第2のテンプレートを製造するナノインプリント用テンプレートの製造方法であって、
前記第1のテンプレートとして、凹凸の転写パターンが形成されたパターン領域と該パターン領域の外側の外周領域を上面に有する前記1段の段差構造を、第1の主面に備え、前記第1の主面に相対する前記第2の主面に、平面視において、前記パターン領域と重なり、かつ、前記パターン領域よりも広い面積のくぼみを備えた第1のテンプレートを準備する工程と、
前記第1のテンプレートの前記1段の段差構造の前記外周領域をエッチングして、前記パターン領域を上面に有する中央部と、前記中央部よりも高さが低い外周部から構成される2段の段差構造を形成する工程と、
を備え、
前記外周領域が、前記第1のテンプレートの前記1段の段差構造において、局所的なパターン歪みを生じる領域を含むことを特徴とする、ナノインプリント用テンプレートの製造方法。
IPC (3件):
H01L 21/027
, B29C 33/38
, B29C 59/02
FI (3件):
H01L21/30 502D
, B29C33/38
, B29C59/02 B
Fターム (28件):
4F202AF01
, 4F202AG05
, 4F202AJ03
, 4F202AJ09
, 4F202AR12
, 4F202CA19
, 4F202CB01
, 4F202CD05
, 4F202CD23
, 4F202CD24
, 4F209AA44
, 4F209AF01
, 4F209AG05
, 4F209AH33
, 4F209AJ06
, 4F209AR12
, 4F209PA02
, 4F209PB01
, 4F209PC01
, 4F209PC05
, 4F209PN09
, 4F209PQ11
, 5F146AA20
, 5F146AA32
, 5F146AA34
, 5F146DA29
, 5F146DB04
, 5F146JA20
引用特許: