特許
J-GLOBAL ID:201703005480428498

ナノインプリント用テンプレートの製造方法及びテンプレート

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 藤枡 裕実 ,  深町 圭子 ,  伊藤 英生 ,  後藤 直樹 ,  伊藤 裕介 ,  立石 英之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-204517
公開番号(公開出願番号):特開2017-022416
出願日: 2016年10月18日
公開日(公表日): 2017年01月26日
要約:
【課題】 ナノインプリントによりマスターテンプレートからレプリカテンプレートを製造するレプリカテンプレートの製造方法において、段差構造の外周領域に生じる局所的なパターン歪みを取り除き、パターン位置精度の良好なテンプレートの製造方法及びテンプレートを提供する。【解決手段】 1段の段差構造を備える第1のテンプレートから、2段の段差構造を備える第2のテンプレートを製造するナノインプリント用テンプレートの製造方法であって、第1のテンプレートの1段の段差構造の外周領域をエッチングして、パターン領域を上面に有する中央部と、中央部よりも高さが低い外周部から構成される2段の段差構造を形成する工程と、を備え、前記外周領域が、第1のテンプレートの1段の段差構造において、局所的なパターン歪みを生じる領域を含むことを特徴とする。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
1段の段差構造を備える第1のテンプレートから、2段の段差構造を備える第2のテンプレートを製造するナノインプリント用テンプレートの製造方法であって、 前記第1のテンプレートとして、凹凸の転写パターンが形成されたパターン領域と該パターン領域の外側の外周領域を上面に有する前記1段の段差構造を、第1の主面に備え、前記第1の主面に相対する前記第2の主面に、平面視において、前記パターン領域と重なり、かつ、前記パターン領域よりも広い面積のくぼみを備えた第1のテンプレートを準備する工程と、 前記第1のテンプレートの前記1段の段差構造の前記外周領域をエッチングして、前記パターン領域を上面に有する中央部と、前記中央部よりも高さが低い外周部から構成される2段の段差構造を形成する工程と、 を備え、 前記外周領域が、前記第1のテンプレートの前記1段の段差構造において、局所的なパターン歪みを生じる領域を含むことを特徴とする、ナノインプリント用テンプレートの製造方法。
IPC (3件):
H01L 21/027 ,  B29C 33/38 ,  B29C 59/02
FI (3件):
H01L21/30 502D ,  B29C33/38 ,  B29C59/02 B
Fターム (28件):
4F202AF01 ,  4F202AG05 ,  4F202AJ03 ,  4F202AJ09 ,  4F202AR12 ,  4F202CA19 ,  4F202CB01 ,  4F202CD05 ,  4F202CD23 ,  4F202CD24 ,  4F209AA44 ,  4F209AF01 ,  4F209AG05 ,  4F209AH33 ,  4F209AJ06 ,  4F209AR12 ,  4F209PA02 ,  4F209PB01 ,  4F209PC01 ,  4F209PC05 ,  4F209PN09 ,  4F209PQ11 ,  5F146AA20 ,  5F146AA32 ,  5F146AA34 ,  5F146DA29 ,  5F146DB04 ,  5F146JA20
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (8件)
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