特許
J-GLOBAL ID:201703005854747452
太陽電池素子の製造方法および太陽電池素子
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人 有古特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-019670
公開番号(公開出願番号):特開2017-139351
出願日: 2016年02月04日
公開日(公表日): 2017年08月10日
要約:
【課題】 製造工程の煩雑化を招くことなく、取出し電極の配線抵抗およびコンタクト抵抗を良好に低減して、より高効率化を図ることが可能な太陽電池素子の製造方法を提供する。【解決手段】 拡散層12を有するとともに表面11aに反射防止膜13が形成された半導体基板11に対してレーザ加工を施す。これにより、半導体基板11の表面状態を保持しつつ反射防止膜13を配線パターン状に除去して、パターン状貫通孔10bを形成する。表面11aに対して、少なくともパターン状貫通孔10bを充填するように、導電性ペースト30を配線パターン状に印刷して、パターン状画線部31を形成する。パターン状画線部31を焼成することにより焼結させて、フィンガー電極21等の取出し電極を表面11a上に形成する。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
拡散層を有するとともに表面に反射防止膜が形成された半導体基板に対して、レーザ加工により当該半導体基板の表面状態を保持しつつ前記反射防止膜を配線パターン状に除去することにより、パターン状貫通孔を形成し、
前記表面に対して、少なくとも前記パターン状貫通孔を充填するように、導電性ペーストを前記配線パターン状に印刷して、当該導電性ペーストのパターン状画線部を形成し、
前記パターン状画線部を焼成することにより焼結させて、取出し電極を前記表面上に形成することを特徴とする、
太陽電池素子の製造方法。
IPC (2件):
H01L 31/022
, H01L 31/068
FI (2件):
H01L31/04 264
, H01L31/06 300
Fターム (10件):
5F151AA02
, 5F151AA03
, 5F151BA11
, 5F151CB13
, 5F151CB21
, 5F151CB27
, 5F151FA10
, 5F151FA14
, 5F151GA04
, 5F151HA03
引用特許:
審査官引用 (6件)
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光起電力装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2014-061460
出願人:パナソニックIPマネジメント株式会社
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太陽電池の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-124991
出願人:シャープ株式会社
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シリコン太陽電池セルの製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2011-260194
出願人:シラクセル株式会社
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