特許

J-GLOBAL ID：201703005901596476

半導体膜、半導体膜の製造方法、太陽電池、発光ダイオード、薄膜トランジスタ、および、電子デバイス

発明者： 小野 雅司 ,  菊池 信 ,  田中 淳 ,  鈴木 真之 ,  金光 義彦
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (3件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  福田 浩志
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-241231
公開番号（公開出願番号）：特開2014-093327
特許番号：特許第6177515号
出願日： 2012年10月31日
公開日（公表日）： 2014年05月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 金属原子を有するPbS又はInPを含む半導体量子ドットの集合体と、 前記半導体量子ドットに配位する、3-メルカプト-1-プロパノール、チオグリコール酸、3-メルカプト-1-プロパノール誘導体、及びチオグリコール酸誘導体から選択される少なくとも1種の配位子と、 からなる半導体膜。

IPC (5件)：

H01L 31/0352 ( 200 6.01) ,  H01L 51/05 ( 200 6.01) ,  H01L 51/30 ( 200 6.01) ,  H01L 31/10 ( 200 6.01) ,  H01L 33/04 ( 201 0.01)

FI (6件)：

H01L 31/04 342 A ,  H01L 29/28 100 A ,  H01L 29/28 250 F ,  H01L 29/28 220 A ,  H01L 31/10 A ,  H01L 33/04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 表面修飾無機ナノ粒子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-053550   出願人：積水化学工業株式会社, 山本健二

審査官引用 (3件)

• 表面修飾無機ナノ粒子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-053550   出願人：積水化学工業株式会社, 山本健二
• 半導体超微粒子及び電界発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-111677   出願人：三菱化学株式会社
• 微粒子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-028882   出願人：株式会社豊田中央研究所

引用文献：

出願人引用 (1件)

• Structural, Optical, and Electrical Properties of Self-Assembled Films of PbSe Nanocrystals Treated

審査官引用 (2件)

• Structural, Optical, and Electrical Properties of Self-Assembled Films of PbSe Nanocrystals Treated
• Structural, Optical, and Electrical Properties of Self-Assembled Films of PbSe Nanocrystals Treated