特許
J-GLOBAL ID：201703005983113419
半導体装置の製造方法および半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
速水 進治
, 天城 聡
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-050403
公開番号（公開出願番号）：特開2016-129259
特許番号：特許第6109368号
出願日： 2016年03月15日
公開日（公表日）： 2016年07月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 それぞれ環状SiO構造を主骨格とし互いに構造が異なる2種類以上の有機シロキサン原料を気化し、キャリアガスとともに反応炉に輸送して、且つ、酸素原子を含む酸化剤ガスを添加して、前記反応炉にてプラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法又はプラズマ重合法によって多孔質絶縁膜を形成する多孔質絶縁膜形成工程を備え、
当該多孔質絶縁膜形成工程において、キャリアガスの流量に対する添加した前記酸化剤ガスの流量比が0.005以上0.04以下である半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/312 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
, H01L 23/532 ( 200 6.01)
, C08G 83/00 ( 200 6.01)
H01L 21/312 C
, H01L 21/90 N
, C08G 83/00
