特許
J-GLOBAL ID：201003062788171694
多孔質絶縁膜の製造方法、多孔質絶縁膜及び半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
机 昌彦
, 木村 明隆
, 浅井 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-240787
公開番号（公開出願番号）：特開2010-021575
出願日： 2009年10月19日
公開日（公表日）： 2010年01月28日
要約：
【課題】比誘電率の低い絶縁膜を安定して得ることのできる多孔質絶縁膜の製造方法を提供する。【解決手段】本発明にかかる多孔質絶縁膜の製造方法は、シリコン及び酸素を骨格とし、シリコンに結合する側鎖の一方が不飽和炭化水素基であり、他方が炭素原子を2つ以上含む飽和炭化水素基である環状有機シリカ化合物の蒸気を希ガスで希釈した蒸気に、酸化剤ガスを前記環状有機シリカ化合物の蒸気の流量の0.3倍以上1.2倍以下添加してプラズマ中に導入し、半導体基板上に多孔質低誘電率絶縁膜を成長させることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリコン及び酸素を骨格とし、シリコンに結合する側鎖の一方が不飽和炭化水素基であり、他方が炭素原子を2つ以上含む飽和炭化水素基である環状有機シリカ化合物の蒸気を希ガスで希釈した蒸気に、酸化剤ガスを前記環状有機シリカ化合物の蒸気の流量の0.3倍以上1.2倍以下添加してプラズマ中に導入し、半導体基板上に多孔質低誘電率絶縁膜を成長させることを特徴とする多孔質絶縁膜の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/312
, H01L 21/316
H01L21/312 C
, H01L21/316 X
4H049VN01
, 4H049VP03
, 4H049VQ87
, 4H049VU24
, 4H049VW02
, 5F058AC03
, 5F058AF02
, 5F058AH02
, 5F058BF07
