特許
J-GLOBAL ID:201703006283145910

熱電変換材料および熱電変換モジュール

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): ポレール特許業務法人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2015-174977
公開番号(公開出願番号):特開2017-050505
出願日: 2015年09月04日
公開日(公表日): 2017年03月09日
要約:
【課題】熱伝導率が低く、高温で安定な熱電変換材料およびそれを用いた熱電変換モジュールを提供する。【解決手段】半導体からなる粒子状の母材料101と、粒子状の母材料の内部に分布するゲスト材料からなる微粒子102と、粒子状の母材料の粒界に存在するゲスト材料からなるバインダ103とを含み、バインダは微粒子の量以下であり、粒子状の母材料はバインダと微粒子の総量よりも多く、半導体とゲスト材料は共晶反応、共析反応、包晶反応、包析反応、偏晶反応、偏析反応により化合物を形成せずに分離した状態で存在する熱電変換材料とする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
半導体からなる粒子状の母材料と、前記粒子状の母材料の内部に分布するゲスト材料からなる微粒子と、前記粒子状の母材料の粒界に存在する前記ゲスト材料からなるバインダとを含み、 前記バインダの量は、前記微粒子の量以下であり、 前記粒子状の母材料の量は、前記バインダと前記微粒子の総量よりも多く、 かつ前記半導体と前記ゲスト材料は、共晶反応、共析反応、包晶反応、包析反応、偏晶反応、偏析反応により化合物を形成せずに分離した状態であることを特徴とする熱電変換材料。
IPC (5件):
H01L 35/26 ,  H01L 35/14 ,  H01L 35/32 ,  C01B 33/06 ,  C01B 19/04
FI (5件):
H01L35/26 ,  H01L35/14 ,  H01L35/32 A ,  C01B33/06 ,  C01B19/04 G
Fターム (4件):
4G072AA20 ,  4G072BB05 ,  4G072GG02 ,  4G072UU30
引用特許:
審査官引用 (4件)
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