特許
J-GLOBAL ID：201703006479262094
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
池田 憲保
, 佐々木 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-157223
公開番号（公開出願番号）：特開2016-225643
出願日： 2016年08月10日
公開日（公表日）： 2016年12月28日
要約：
【課題】側壁部及び上部の平面部を持つ立体凹凸部分を形成した三次元デバイスとしての半導体装置において側壁部及び上部の平面部へ均一に高濃度の不純物を低エネルギードーピングできる方法を提供する。【解決手段】不純物原子であるB、P、Asのいずれか1つを含む不純物薄膜を、半導体基板の表面上に堆積する工程により、立体凹凸部分の側壁部に比べて立体凹凸部分の上部の平面部には薄膜を厚く堆積させ、更に、斜め上方から斜め方向のイオン注入と反対側の斜め上方から斜め方向のイオン注入を行なう。該イオン注入によって、前記不純物原子を不純物薄膜内部から半導体基板の立体凹凸部分の側壁部及び上部の平面部の内部にリコイルさせる工程を含み、前記注入イオンは、前記不純物原子よりも原子量が大きく、Si、As、Ge、In、Sbのいずれか1つとし、前記注入イオン自体は、前記半導体基板には導入されず前記不純物薄膜にとどまるようにした。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体装置の基体となる半導体基板の表面上に加工により側壁部及び上部の平面部を有する立体凹凸部分を形成した該半導体基板において、
該半導体基板の内部においてドナーもしくはアクセプターとなる不純物原子であるB、P、Asのいずれか1つを含む不純物薄膜を、半導体基板の表面上に堆積する工程により、立体凹凸部分の側壁部に比べて立体凹凸部分の上部の平面部には前記不純物薄膜を厚く堆積させ、
更に、立体凹凸部分の前記堆積させた不純物薄膜の斜め上方から斜め方向のイオン注入と反対側の斜め上方から斜め方向のイオン注入を行なうとともに、
該イオン注入によって、前記不純物原子を不純物薄膜内部から半導体基板の立体凹凸部分の側壁部及び上部の平面部の内部にリコイルさせる工程を含み、
前記注入イオンは、前記不純物原子よりも原子量が大きく、Si、As、Ge、In、Sbのいずれか1つとし、前記注入イオン自体は、前記半導体基板には導入されず前記不純物薄膜にとどまるようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/265
, H01L 21/336
, H01L 29/78
, H01L 21/823
, H01L 27/092
H01L21/265 K
, H01L21/265 V
, H01L29/78 301S
, H01L29/78 301X
, H01L29/78 301F
, H01L27/08 321C
, H01L27/08 321E
5F048AC03
, 5F048BA01
, 5F048BA14
, 5F048BA15
, 5F048BD06
, 5F140AA00
, 5F140AB03
, 5F140AC01
, 5F140BA01
, 5F140BA02
, 5F140BA03
, 5F140BA07
, 5F140BA13
, 5F140BB05
, 5F140BC15
, 5F140BK08
, 5F140BK14
