特許

J-GLOBAL ID：200903025795129039

フィン型トランジスタおよびその形成方法

発明者： 北澤 雅志
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-183841
公開番号（公開出願番号）：特開2009-021456
出願日： 2007年07月13日
公開日（公表日）： 2009年01月29日
要約：

【課題】フィン型トランジスタにおいて、半導体フィンの側面に不純物濃度が一様な不純物拡散層を形成する。【解決手段】フィン型トランジスタは、基板上に立設された半導体のフィン10と、当該フィン10の側面に形成されたソース/ドレイン・エクステンション領域12とを備える。ソース/ドレイン・エクステンション領域10を、通常のイオン注入ではなく、クラスタ注入によって形成する。【選択図】図10

請求項（抜粋）：

基板上に立設されたフィン型の半導体層である半導体フィンと、 前記半導体フィンの側面の一部を覆うように絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、 前記半導体フィンの側面部における前記ゲート電極の両側に形成されたソース/ドレイン・エクステンション領域とを備え、 前記ソース/ドレイン・エクステンション領域が形成された前記半導体フィンの部分において、 当該半導体フィンの幅は20nm以下であり、 その幅方向の断面における前記ソース/ドレイン・エクステンション領域を構成する不純物の濃度分布が、前記側面近傍にピークを有すると共に、中央部分では前記ピークの100分の1未満の濃度となっている ことを特徴とするフィン型トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49

FI (4件)：

H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 616L ,  H01L29/58 G

Fターム (35件)：

4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB40 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD55 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104FF01 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F110AA30 ,  5F110CC10 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE09 ,  5F110EE22 ,  5F110EE32 ,  5F110FF01 ,  5F110FF04 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ02 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ07 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ16 ,  5F110HJ23 ,  5F110HM15 ,  5F110QQ11

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ダブルおよびトリプルゲートMOSFETデバイス、およびこれらのMOSFETデバイスを製造する方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2004-546872   出願人：アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド

審査官引用 (2件)

• フィン構造の半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-288217   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-317259   出願人：株式会社東芝

引用文献：

審査官引用 (2件)

• Sub-30-nm PMOSFET using Gas Cluster Ion Beam Boron Doping for 45-nm node CMOS and beyond
• Formation of S/D-extension using boron gas cluster ion beam doping for sub-50-nm PMOSFET