特許
J-GLOBAL ID:201703006725887279
電子装置およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
片山 修平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-036124
公開番号(公開出願番号):特開2017-152645
出願日: 2016年02月26日
公開日(公表日): 2017年08月31日
要約:
【課題】オーミック電極と能動層との接触抵抗を低減すること。【解決手段】基板10と、前記基板上に設けられ、グラフェンまたは遷移金属カルコゲナイトからなる原子層または分子層が1または複数層積層された能動層と、前記能動層上に設けられ、前記能動層に電気的に接触する複数のオーミック電極25と、具備し、前記複数のオーミック電極が前記能動層に電気的接触する第1領域60における前記基板の上面の粗さは、前記複数のオーミック電極間の前記能動層内をキャリアが走行する第2領域62における前記基板の上面の粗さより大きい電子装置。【選択図】図2
請求項(抜粋):
基板と、
前記基板上に設けられ、グラフェンまたは遷移金属カルコゲナイトからなる原子層または分子層が1または複数層積層された能動層と、
前記能動層上に設けられ、前記能動層に電気的に接触する複数のオーミック電極と、
を具備し、
前記複数のオーミック電極が前記能動層に電気的接触する第1領域における前記基板の上面の粗さは、前記複数のオーミック電極間の前記能動層内をキャリアが走行する第2領域における前記基板の上面の粗さより大きい電子装置。
IPC (4件):
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/28
, H01L 29/417
FI (6件):
H01L29/78 626C
, H01L21/28 A
, H01L21/28 301B
, H01L29/50 M
, H01L29/78 616S
, H01L29/78 618B
Fターム (53件):
4M104AA03
, 4M104AA09
, 4M104AA10
, 4M104BB02
, 4M104BB05
, 4M104BB14
, 4M104CC01
, 4M104DD08
, 4M104DD09
, 4M104DD10
, 4M104DD15
, 4M104DD16
, 4M104DD24
, 4M104DD34
, 4M104DD37
, 4M104DD68
, 4M104EE03
, 4M104EE12
, 4M104EE16
, 4M104FF13
, 4M104FF31
, 4M104GG08
, 4M104GG09
, 4M104HH15
, 5F110AA30
, 5F110CC01
, 5F110DD01
, 5F110DD05
, 5F110DD12
, 5F110DD21
, 5F110DD25
, 5F110EE02
, 5F110EE14
, 5F110EE22
, 5F110EE43
, 5F110EE44
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF05
, 5F110FF09
, 5F110FF22
, 5F110FF29
, 5F110GG01
, 5F110GG04
, 5F110GG41
, 5F110GG44
, 5F110HK02
, 5F110HK21
, 5F110HK32
, 5F110HM13
, 5F110QQ05
, 5F110QQ11
, 5F110QQ14
引用特許:
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