特許
J-GLOBAL ID：201703006924997628

位相シフトマスクの製造方法

発明者：
木下 一樹

木下 一樹 について

, 
飛田 敦

飛田 敦 について


出願人/特許権者：
大日本印刷株式会社

大日本印刷株式会社 について


代理人 (3件)： 米田 潤三 ,  太田 昌孝 ,  皿田 秀夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-244184
公開番号（公開出願番号）：特開2014-092727
特許番号：特許第6089604号
出願日： 2012年11月06日
公開日（公表日）： 2014年05月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 画像表示装置を製造するために用いられる位相シフトマスクであって、透明基板と、前記透明基板上に設けられてなる透光部と、前記透光部の寸法よりも小さい寸法を有し、前記透明基板の平面視において前記透光部を完全に被覆しないように前記透光部上に設けられてなる遮光部とを備え、前記透光部において前記遮光部により被覆されていない部分が位相シフト部として構成される位相シフトマスクを製造する方法において、 前記位相シフトマスクの製造方法は、 前記位相シフト部を構成する位相シフト材料膜及び前記遮光部を構成する遮光材料膜がこの順で積層されてなる透明基板上に、前記透光部の設計寸法よりも大きい寸法を有するレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、 前記レジストパターンをエッチングマスクとして、所定のエッチング液を用いて前記遮光材料膜及び前記位相シフト材料膜をエッチングするエッチング工程と、 前記遮光材料膜及び前記位相シフト材料膜がエッチングされた後に、前記レジストパターンを剥離する剥離工程と を含み、 前記エッチング工程において、同一の前記エッチング液により前記遮光材料膜及び前記位相シフト材料膜をエッチングして、前記遮光部と、前記透光部と、前記透明基板の平面視において前記透光部のうちの前記遮光部により被覆されていない部分として構成される前記位相シフト部とを形成し、 前記位相シフト材料膜を構成する位相シフト材料の前記エッチング液によるエッチングレートと前記遮光材料膜を構成する遮光材料の前記エッチング液によるエッチングレートとの比が、1:3.0〜10.0である ことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
IPC (1件)：
G03F 1/32 ( 201 2.01)
FI (1件)：
G03F 1/32
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM