特許
J-GLOBAL ID：201703007158627437

蓄電素子および蓄電素子の作製方法

発明者：
栗城 和貴

栗城 和貴 について

, 
田島 亮太

田島 亮太 について

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森若 圭恵

森若 圭恵 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-057442
公開番号（公開出願番号）：特開2013-229309
特許番号：特許第6114589号
出願日： 2013年03月20日
公開日（公表日）： 2013年11月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】同一平面上の正極集電体層および負極集電体層と、 前記正極集電体層の上面および側面を覆う正極活物質層と、 前記負極集電体層の上面および側面を覆う負極活物質層と、 前記正極活物質層上および前記負極活物質層上の固体電解質層と、 前記固体電解質層上のリチウム層と、を有し、 前記正極集電体層は、第1の金属元素を有し、 前記負極集電体層は、第2の金属元素を有し、 前記正極活物質層は、前記第1の金属元素の第1の金属酸化物を有し、 前記負極活物質層は、前記第2の金属元素の第2の金属酸化物を有し、 前記リチウム層は、前記正極活物質層または前記負極活物質層の少なくとも一方と重畳することを特徴とする蓄電素子。
IPC (6件)：
H01M 10/0562 ( 201 0.01) ,  H01M 4/48 ( 201 0.01) ,  H01M 4/13 ( 201 0.01) ,  H01M 10/0585 ( 201 0.01) ,  H01M 4/139 ( 201 0.01) ,  H01M 10/052 ( 201 0.01)
FI (6件)：
H01M 10/056 ,  H01M 4/48 ,  H01M 4/13 ,  H01M 10/058 ,  H01M 4/139 ,  H01M 10/052
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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