特許
J-GLOBAL ID：201703007291928407

細長いナノスケール構造の選択加熱方法

発明者：
ウィルフリート・ファンデルフォルスト

ウィルフリート・ファンデルフォルスト について

, 
ヤヌシュ・ボグダノウィッチ

ヤヌシュ・ボグダノウィッチ について


出願人/特許権者：
アイメック・ヴェーゼットウェー

アイメック・ヴェーゼットウェー について


代理人 (3件)： 山田 卓二 ,  田中 光雄 ,  中野 晴夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-196230
公開番号（公開出願番号）：特開2017-143242
出願日： 2016年10月04日
公開日（公表日）： 2017年08月17日
要約：
【課題】同じウエハ上へのSiおよびGeトランジスタ(またはIII-V)の形成は、Si接合とGe接合に対して非常に異なった温度が必要となるドーパントアニールの問題がある。【解決手段】基板5の上に少なくとも2つの平行でないGeフィンとSiフィンのような異なる材料のナノスケール構造1、2を形成する工程を含む半導体デバイスの選択加熱であって、所定の波長と偏光を有する偏光した光にそれらを同時に露出されて、第1と第2のナノ構造で異なる光の吸収を起こさせることにより、それらの構造は異なる温度に加熱される。光は、構造の1つに平行な面の中で偏光する。【選択図】図2a
請求項（抜粋）：
半導体デバイスの製造方法であって、 半導体基板(5)を提供する工程と、 基板の上に、第1軸(3)に沿って配置された少なくとも1つの第1の細長いナノ構造(1)と、第2軸(4)に沿って配置された少なくとも1つの第2の細長いナノ構造(2)とを形成する工程であって、2つの軸は互いに異なる方向に配置される工程と、 細長いナノ構造(1、2)を加熱する工程と、を含み、 所定の波長を有し、所定の偏光を有する光を適用して、第1と第2のナノ構造で異なる光の吸収を起こさせることにより、構造を異なる温度に加熱する方法。
IPC (1件)：
H01L 21/265
FI (1件)：
H01L21/265 602C
引用特許：
出願人引用 (4件)
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