特許
J-GLOBAL ID：200903070705878823

レーザ結晶化方法

発明者：
由良 信介

由良 信介 について

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園 淳弘

園 淳弘 について

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岡本 達樹

岡本 達樹 について

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中川 直紀

中川 直紀 について

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須賀原 和之

須賀原 和之 について

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山吉 一司

山吉 一司 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (3件)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-263217
公開番号（公開出願番号）：特開2007-080894
出願日： 2005年09月12日
公開日（公表日）： 2007年03月29日
要約：
【課題】レーザ光の偏光方向によって結晶粒形に異方性が生じた場合であっても、TFT特性の異方性を抑制できるYAG2ωレーザを用いたレーザ結晶化方法を提供する。【解決手段】非晶質Si膜11に直線偏光のビーム光13を照射してレーザアニールをすることにより、多結晶Si膜12を形成する。このとき、直線偏光の方向をスキャン方向21に対して45度を成す角度にする。多結晶Si膜12の結晶粒形の大きさは、スキャン方向21とそれに垂直な方向で略同一になる。そのため、多結晶Si膜12を用いてTFTを形成した場合に、スキャン方向21のチャネルを有するTFTと、スキャン方向21に垂直な方向のチャネルを有するTFTの移動度の差を抑制できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に形成された非晶質半導体膜をレーザ光のスキャン照射により結晶化するレーザ結晶化方法であって、 (a)前記レーザ光のスキャン方向に対して傾いた方向の直線偏光を有する前記レーザ光を生成する工程と、 (b)前記生成されたレーザ光を前記非晶質半導体膜にスキャン照射する工程と、 を備えることを特徴とするレーザ結晶化方法。
IPC (4件)：
H01L 21/268 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786
FI (4件)：
H01L21/268 J ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 F ,  H01L29/78 627G
Fターム (42件)：
5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110NN77 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP23 ,  5F110PP35 ,  5F152AA06 ,  5F152BB02 ,  5F152CC02 ,  5F152CD13 ,  5F152CE05 ,  5F152CE14 ,  5F152CE24 ,  5F152CE45 ,  5F152EE01 ,  5F152EE02 ,  5F152EE16 ,  5F152FF04 ,  5F152FF05 ,  5F152FF06 ,  5F152FF07 ,  5F152FF08 ,  5F152FF09 ,  5F152FF41 ,  5F152FF47 ,  5F152FG03 ,  5F152FG19 ,  5F152FG23 ,  5F152FH03 ,  5F152FH05 ,  5F152FH06
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (6件)
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