特許
J-GLOBAL ID：201703007667267075

半導体装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-160177
公開番号（公開出願番号）：特開2013-048220
特許番号：特許第6050044号
出願日： 2012年07月19日
公開日（公表日）： 2013年03月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 酸化物半導体膜と、 前記酸化物半導体膜上に接する第1の電極層および第2の電極層と、 前記酸化物半導体膜下に接する第3の電極層と、 前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上のゲート電極層と、を有し、 前記酸化物半導体膜は、チャネル形成領域と、第1の領域と、第2の領域と、第3の領域と、第4の領域とを有し、 前記第1の領域は、前記第1の電極層に接する領域を有し、 前記第2の領域は、前記第2の電極層に接する領域を有し、 前記第3の領域は、前記第3の電極層と接する領域を有し、 前記第3の領域は、前記第1の領域と重なり、 前記第4の領域は、前記第2の領域と重なり、 前記チャネル形成領域は、前記第1の領域と前記第2の領域との間に位置し、 前記チャネル形成領域は、前記第3の領域と前記第4の領域との間に位置し、 前記第1の領域及び前記第2の領域は、金属元素を含み、 前記第3の領域は、前記第1の領域よりも抵抗が高く、 前記第4の領域は、前記第2の領域よりも抵抗が高く、 前記第1の電極層は、容量素子の一方の電極として機能し、 前記第3の電極層は、前記容量素子の他方の電極として機能し、 前記第3の領域は、前記容量素子の誘電体として機能することを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 21/8242 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 27/10 ( 200 6.01) ,  C23C 14/08 ( 200 6.01)
FI (12件)：
H01L 27/10 671 Z ,  H01L 29/78 613 B ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 617 J ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 616 U ,  H01L 27/10 615 ,  H01L 27/10 441 ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 27/10 681 F ,  C23C 14/08 K
引用特許：
審査官引用 (2件)

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