特許
J-GLOBAL ID:201703007849234202
気相成長用反応装置
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
伊東 忠重
, 伊東 忠彦
, 大貫 進介
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-145076
公開番号(公開出願番号):特開2014-022732
特許番号:特許第6058491号
出願日: 2013年07月11日
公開日(公表日): 2014年02月03日
請求項(抜粋):
【請求項1】 載置体と、前記載置体を加熱する加熱装置とを含む気相成長用反応装置であって、
前記載置体は、第一載置体と、前記第一載置体上に形成されている第二載置体とを含み、前記第二載置体は、核心層と、前記核心層を覆う包囲層とを含み、
前記第一載置体は、前記第二載置体とは異なる材料を含み、前記核心層は、前記包囲層とは異なる材料を含む、気相成長用反応装置。
IPC (3件):
H01L 21/205 ( 200 6.01)
, H01L 21/683 ( 200 6.01)
, C23C 16/458 ( 200 6.01)
FI (3件):
H01L 21/205
, H01L 21/68 N
, C23C 16/458
引用特許:
審査官引用 (6件)
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半導体成長用サセプタ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-246549
出願人:ソニー株式会社
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特開昭61-132595
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サセプタ及びこれを具備する化学気相蒸着装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2011-107325
出願人:サムソンエルイーディーカンパニーリミテッド.
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特開昭63-284810
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真空成膜装置および薄膜形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-008665
出願人:松下電器産業株式会社
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気相成長装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-066458
出願人:大陽日酸株式会社
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