特許

J-GLOBAL ID：201703007882092308

メモリデバイスにおけるセンス増幅器のセルフタイマ

発明者： チョウ ヤオ ,  ユエ カイ マン ,  チャン シャオチョウ ,  シェン ビン
出願人/特許権者： シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッド
代理人 (8件)： 西島 孝喜 ,  弟子丸 健 ,  田中 伸一郎 ,  大塚 文昭 ,  須田 洋之 ,  上杉 浩 ,  近藤 直樹 ,  岩崎 吉信
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-561888
特許番号：特許第6101369号
出願日： 2013年03月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 センス増幅器制御信号を発生させる回路であって、 参照メモリセルと、 前記参照メモリセルに連結されたマルチプレクサと、 前記マルチプレクサの出力に連結されたプリチャージブロックと、 前記マルチプレクサの前記出力に連結されたタイミングジェネレータであって、前記タイミングジェネレータの出力は、読み取り動作のためのアドレスの受信と、前記参照メモリセル及び前記マルチプレクサによる電流の引き出しとを示す信号の状態の変化に応答して変化する、タイミングジェネレータと、 前記タイミングジェネレータの出力に連結され、前記タイミングジェネレータの前記出力に応答して、センス増幅器を制御する前記センス増幅器制御信号を発生させる論理制御装置と、 を備える回路。

IPC (2件)：

G11C 16/02 ( 200 6.01) ,  G11C 16/06 ( 200 6.01)

FI (2件)：

G11C 17/00 601 D ,  G11C 17/00 634 E

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体記憶装置および半導体記憶装置の制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-204910   出願人：富士通株式会社
• 特開平3-071495
  
• 半導体記憶装置、及びタイミング制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-078416   出願人：富士通株式会社
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-200670   出願人：NECエレクトロニクス株式会社

審査官引用 (2件)

• 半導体記憶装置および半導体記憶装置の制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-204910   出願人：富士通株式会社
• 特開平3-071495